MOSFET的输出特性分为：A．MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。B．MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。C．MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。D．非饱和区以及放大区。

MOSFET的输出特性分为：

A．MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和非饱和区。

B．MOSFET输出特性分三个区：截止区、放大区和饱和区。

C．MOSFET的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。

D．非饱和区以及放大区。

参考答案和解析
MOSFET 的输出特性分三个区：截止区、非饱和区和饱和区。

相关考题：

晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、()和饱和区三个区域。
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按导电沟道不同,电力MOSFET可分为哪两项?( ) A、耗尽型B、增强型C、P沟道D、N沟道
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()是电压控制型电力电子器件。A.P-MOSFET、GTOB.TRIAC、GTRC.P-MOSFET、IGBTD.IGBT、SITH
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IGBT是一个复合型的器件,它是( ) A.GTR驱动的MOSFETB.MOSFET驱动的GTRC.MOSFET驱动的晶闸管D.MOSFET驱动的GTO
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电力MOSFET的种类和结构繁多,按导电沟道可分为______和______。当栅极电压为零源漏之间就存在导电沟道的称为______;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道的称为______。在电力MOSFET中,主要是______。
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SIT是一种______的器件,其工作频率与电力MOSFET______,而功率容量比电力MOSFET______,因而适用于______场合。
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IGBT是ー个复合型的器件,它是()。 A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GT0
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MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）
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根据输出特性曲线，三极管分为（）、（）、（）三个工作区。
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晶体三极管的输出特性分为（）。A、饱和区B、放大区C、导通区D、死区
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半导体三极管的输出特性曲线可划分为三个工作区域（）、（）、（）。
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晶体管输出特性曲线可分为哪几个区？
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根据外加电压的不同，场效应管的输出特性曲线族可划分为（）、饱和区、截止区和击穿区。
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下列选项中，（）不是P-MOSFET的一般特性。A、转移特性B、输出特性C、开关特性D、欧姆定律
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简述功率MOSFET的特性。
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根据晶体管的工作状态，其输出特性可分为（）、放大区、饱和区三个区域。
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根据三极管输出特性曲线，可以分为（）区。A、截止B、集电C、放大D、饱和E、发射
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晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是（）、（）、（）。
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电容滤波电路的输出特性比电感滤波电路的输出特性差。
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三极管的输出特性曲线分为（）区、（）区和（）区。
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IGBT是一个复合型的器件，它是（）。A、GTR驱动的MOSFETB、MOSFET驱动的GTRC、MOSFET驱动的晶闸管D、MOSFET驱动的GTO
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MOSFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的（）、前者的饱和区对应后者的（）、前者的非饱和区对应后者的（）。
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逻辑功能不同，CMOS门电路（）。A、输入、输出特性不同B、输入、输出特性相同C、输入特性相同，输出特性不同D、输入特性不同，输出特性相同
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填空题MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）
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填空题在长沟道MOSFET中，漏极电流的饱和是由于（），而在短沟道MOSFET中，漏极电流的饱和则是由于（）。
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填空题晶体管输出特性可分为（）区，（）区，（）区。
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填空题根据晶体管的工作状态，其输出特性可分为（）、放大区、饱和区三个区域。
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多选题按导电沟道不同，电力MOSFET可分为哪两项？（）A耗尽型B增强型CP沟道DN沟道
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