晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、()和饱和区三个区域。
通常晶体管的输出特性曲线区分为（ ）区。A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.放大区E.线性区
所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指哪个区？( )A.放大区B.饱和区C.截止区D.过损耗区
三极管的输出特性曲线可分为三个区（）。A、饱和区B、截止区C、放大区D、工作区
晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、放大区和（）三个区域。
关于放大器的截止失真，下列说法不正确的是，（）造成的失真。A、晶体管工作在输出特性曲线的截止区B、晶体管工作在输出特性曲线的放大区C、晶体管工作在输出特性曲线的饱和区D、晶体管工作在输出特性曲线的任意区
MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和（）
测试3DKZ型晶体管的共射输出特性曲线（IC-UCE曲线）时，主要旋钮应置何位置？
由输出特性曲线可知，晶体管有（）、放大区、饱和区三个区域。
晶体管特性图示仪的阶梯作用开关置于“单族”时，能显示稳定的输出特性曲线组。
在FET的输出特性曲线中，饱和区相当于BJT输出特性曲线的（）区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的（）区。
晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（）。A、iCB、uCEC、iBD、iE
根据晶体管的工作状态，其输出特性可分为（）、放大区、饱和区三个区域。
结型场效应管的输出特性曲线可分为（）几部分。A、放大区B、饱和区C、截止区D、可变电阻区E、击穿区
温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将（），输出特性曲线将（），而且输出特性曲线之间的间隔将（）。
所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。A、放大区B、饱和区C、截止区D、过损耗区
晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是（）、（）、（）。
场效应晶体管的输出特性曲线是指在VGS一定的条件下，uDS和iD之间的关系。可分成四个区域，即（）区、（）区、（）区和夹断区。
JT-1型晶体管图示仪只能用于显示晶体管输入特性和输出特性曲线。
在晶体管的输出特性中有三个区域分别是截止区、（）和（）。
根据晶体管的输出特性曲线，不是晶体管的工作状态的是（）A、截止区B、放大区C、饱和区D、死区
单选题所谓晶体管输出特性曲线中的线性区域是指（）。A放大区B饱和区C截止区D过损耗区
填空题晶体管输出特性可分为（）区，（）区，（）区。
填空题根据晶体管的工作状态，其输出特性可分为（）、放大区、饱和区三个区域。
多选题根据三极管输出特性，曲线可分为（）区域。A放大区B截止区C饱和区D容抗