根据外加电压的不同,场效应管的输出特性曲线族可划分为()、饱和区、截止区和击穿区。

根据外加电压的不同,场效应管的输出特性曲线族可划分为()、饱和区、截止区和击穿区。


相关考题:

晶体三极管的输出特性曲线可分为截止区、()和饱和区三个区域。

三极管的输出特性曲线分为( )等工作区。A.死区B.开启区C.放大区D.截止区E.饱和区

通常晶体管的输出特性曲线区分为( )区。A.非饱和区B.饱和区C.截止区D.放大区E.线性区

三极管的输出特性曲线可分为三个区()。A、饱和区B、截止区C、放大区D、工作区

根据三极管工作状态不同,输出特性可分()A、载止区B、放大区C、饱和区D、隔离区

根据半导体三极管不同的工作状态,输出特性曲线分为()A、输出区B、放大区C、饱和区D、截止区

关于放大器的截止失真,下列说法不正确的是,()造成的失真。A、晶体管工作在输出特性曲线的截止区B、晶体管工作在输出特性曲线的放大区C、晶体管工作在输出特性曲线的饱和区D、晶体管工作在输出特性曲线的任意区

MOSFET的输出特性可分为可调电阻区、饱和区和()

功率场效应管的输出特性包括截止、放大、饱和三个工作区。

根据输出特性曲线,三极管分为()、()、()三个工作区。

在输出特性曲线上,满足IC=HFEIB关系的区域是:().A、放大区B、截止区C、饱和区D、击穿区

由输出特性曲线可知,晶体管有()、放大区、饱和区三个区域。

结型场效应管的输出特性曲线可分为()。A、可变电阻区和饱和区B、可变电阻区和击穿区C、饱和区和击穿区D、可变电阻区、饱和区和击穿区

根据三极管输出特性,曲线可分为()区域。A、放大区B、截止区C、饱和区D、容抗

根据场效应管的输出特性,其工作情况可以分为()、()、()和()四个区域。

晶体三极管的输出特性曲线分为四个区,请问哪个区具有基区宽度调制效应()A、饱和区B、截止区C、放大区D、击穿区

在FET的输出特性曲线中,饱和区相当于BJT输出特性曲线的()区。而前者 的可变电阻区则对应于后者的()区。

根据晶体管的工作状态,其输出特性可分为()、放大区、饱和区三个区域。

根据三极管输出特性曲线,可以分为()区。A、截止B、集电C、放大D、饱和E、发射

结型场效应管的输出特性曲线可分为()几部分。A、放大区B、饱和区C、截止区D、可变电阻区E、击穿区

场效应管输出特性的三个区域分别是()区、()区、()区。

场效应管用作α信号放大时,其静态工作点应设置在输出特性曲线的()A、非饱和区B、饱和区C、截止区D、击穿区

场效应管的输出特性曲线又称漏极特性曲线。它是指()一定时,()与()这间的关系曲线,它可划分为()、()和()三个区域。

三极管的输出特性曲线分为()区、()区和()区。

根据晶体管的输出特性曲线,不是晶体管的工作状态的是()A、截止区B、放大区C、饱和区D、死区

判断题功率场效应管的输出特性包括截止、放大、饱和三个工作区。A对B错

多选题根据三极管输出特性,曲线可分为()区域。A放大区B截止区C饱和区D容抗