半导体静态RAM靠【 】存储信息，半导体动态RAM靠电容存储电荷的原理来存储信息。
无论采用何种工艺,动态RAM都是利用电容存储电荷的原理来保存信息的() 此题为判断题(对，错)。
DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载
用MOS器件构成的随机存取存储器RAM分为SRAM和DRAM两种，其中DRAM以电容来存储信息，需要定期进行（）
（）RAM是利用触发器电路的两个稳定状态来表示信息“0”和“1”，故在不断开电源时，可以长久保持信息；（）RAM利用电容器上存储的电荷来表示信息“0”和“1”，因此需要不断进行刷新。
无论采用何种工艺，动态RAM都是利用电容存储电荷的原理来保存信息的。
静态RAM的基本存储电路，是由6个MOS管组成的（）来存储信息的；动态RAM芯片是以MOS管栅极（）是否充有电荷来存储信息的。
以下几种存储器中，利用电容存储电荷原理保存信息的是：（）A、静态RAMB、动态RAMC、EPROMD、FLASH
动态RAM的基本存储电路是（）。A、双稳态触发器B、电容器C、MOS管D、晶体管
由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。
动态RAM存储信息依靠的是（）。A、电容B、双稳态触发器C、晶体管D、磁场
MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
利用电容的充电来存储数据，由于电路本身总有漏电，因此需要定期不断补充电，才能保持其存储的数据是（）。A、静态RAM的存储单元B、动态RAM的存储单元C、C、B都是
在半导体制造中，熔断丝可以应用在（）。A、MOS栅极B、保护性元件C、电容器极板D、制造只读存储器PROME、晶圆背面电镀
MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A、栅极（G）B、漏极D.C、C.基极D、源极（S）
场效应管的工作原理是利用栅极电压对（）电流的控制作用来作为放大器件。A、原极；B、漏极；C、栅极；
源极及衬底接地时，MOS管栅极（）。A、对地阻抗极大B、对地有数uF的电容C、对地有很高的电压D、以上都正确
下述描述中不正确的是（）。A、RAM中存储的信息在断电后会立即消失B、ROM中存储的信息在断电后不会消失C、ROM中存储的信息具有只读性，不可编程修改D、RAM可分为双极型和MOS型两大类
绝缘栅型场效应管的输入电阻特别高，当栅极悬空时，在栅极感应出的电荷很难泄放，由于极间电容较小，少量电荷就会使栅级产生较高的电压，因此栅极必须悬空。
问答题MOS晶体管的本征电容通常是指哪几部分电容？MOS晶体管的寄生电容通常是指哪几部分电容？
问答题请判断下面的叙述中，哪些是正确的？ （1）半导体ROM是一种非易失性存储器。 （2）半导体存储器是非永久性存储器，断电时不能保存信息。 （3）同SRAM相比，由于DRAM需要刷新，所以功耗大。 （4）由于DRAM靠电容存储电荷，所以需要定期刷新。 （5）双极型RAM不仅存取速度快，而且集成度高。 （6）目前常用的EPROM是用浮动栅雪崩注入型MOS管构成，称为FAMOS型EPROM，该类型的EPROM出厂时存储的全是“1”。
单选题动态存储单元是靠（）的功能来保存和记忆信息的。A自保持B栅极存储电荷
填空题（）RAM是利用触发器电路的两个稳定状态来表示信息“0”和“1”，故在不断开电源时，可以长久保持信息；（）RAM利用电容器上存储的电荷来表示信息“0”和“1”，因此需要不断进行刷新。
单选题随机存储器中，有一种存储器需要周期性的补充电荷以保证所存储信息的正确，它称为（ ）。A静态RAM（SRAM）B动态RAM（DRAM）CRAMDCache
单选题动态RAM存储信息依靠的是（）。A电容B双稳态触发器C晶体管D磁场
判断题由单管MOS和分布电容构成的DRAM 只能存储一位信息。A对B错