DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
DRAM是靠MOS电路中的栅极电容上的电荷来记忆信息的。为了防止数据丢失，需定时给电容上的电荷进行补充，这是通过以一定的时间间隔将DRAM各存储单元中的数据读出并再写入实现的，该过程称为DRAM的______。
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下面关于DRAM存储位元描述不正确的是（）。A．DRAM的存储元是由一个MOS晶体管和电容器组成的记忆电路B．DRAM的存储元是一个触发器，它具有两个稳定的状态C．电容器上的电荷量来体现所存储的信息D．DRAM的读操作通常伴随着刷新操作
5、静态RAM是采用________存储信息，信息读出后，仍能保持原状态，不需要再生。动态RAM是采用________存储信息，每隔一定时间，需对所有存储单元进行刷新。A．电容存储电荷的原理；触发器工作原理B．电容存储电荷的原理；锁存器工作原理C．触发器工作原理；电容存储电荷的原理D．锁存器工作原理；电容存储电荷的原理
1、关于CCD工作原理下列描述错误的是：A．是一种金属氧化物半导体（MOS）集成电路器件；B．以电荷作为信号；C．基本功能是进行电荷的存储和电荷的转移；D．构成CCD的基本单元是CMOS电容器；
DSRAM栅极电容需要定期地充电刷新的原因是 ，每次刷新为一 的存储单元刷新。 （A）电容丢失电荷 （B）锁存器掉电信息丢失 （C）行 （D）列A．CB．A,DC．B,CD．B,D