场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
一个MOS管当栅极与漏极短接时，该MOS管可以作为（）。A、二极管B、负载电容C、负载电感D、有源负载
IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。A、结构复杂B、复合C、全控型D、电压驱动式
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制．A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
MOS管的栅极可与双极型三极管的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射集D、发射极或集电极
MOS管的栅极与双极型三极管的相对应（）A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
绝缘栅场效应管的栅极与源极和（）之间是完全绝缘的。A、漏极B、正极C、负极D、源极
绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
TTL“与非”门电路是以（）为基本元件构成的。A、双极型三极管B、双极型绝缘栅C、单极型三极管D、单极型绝缘栅
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A、栅极（G）B、漏极D.C、C.基极D、源极（S）
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A、是电压驱动型器件B、也称为绝缘栅极双极型晶体管C、属于全控型器件D、三个极为漏极、栅极和源极
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
绝缘栅双极晶体管的导通与关断是由（）来控制的。A、栅极电流B、发射极电流C、栅极电压D、发射极电压
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管（）和发射极作为发射极与集电极复合而成。
多选题绝缘栅双极型晶体管IGBT属于（）器件。A相控型B全控型C电压控制型D复合型E双极型
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极为栅极作为栅极，以以电力晶体管集电极和（）作为发射极与集电极复合而成。
填空题绝缘栅双极型晶体管是以（）作为栅极，以（）作为发射极与集电极复合而成。
单选题MOS管有三个电极，以下性不属于MOS管的电极是：（）A栅极（G）B漏极D.CC.基极D源极（S）
填空题绝缘栅双极型晶体管是以电力场效应晶体管栅极（），以（）复合而成。
单选题下列关于PowerMOSFET的描述，哪一项是错误的？（）A是电压驱动型器件B也称为绝缘栅极双极型晶体管C属于全控型器件D三个极为漏极、栅极和源极