如下,关于MOSFET的开关速度,表述正确的是:A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速。B.MOSFET是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长。C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长。D.MOSFET是场控器件,静态时栅极需输入大电流,开通关断过程非常迅速。

如下,关于MOSFET的开关速度,表述正确的是:

A.MOSFET不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速。

B.MOSFET是场控器件,静态时几乎不需输入电流,开通关断过程时间长。

C.MOSFET是场控器件,静态时需输入大电流,开通关断过程时间长。

D.MOSFET是场控器件,静态时栅极需输入大电流,开通关断过程非常迅速。


参考答案和解析
MOSFET 不存在少子储存效应,开通关断过程非常迅速。

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开关电源中采用的MOSFET功率管,功耗较大。()

目前高频开关整流器采用的高频功率开关器件通常有功率MOSFET、IGBT管、晶闸管、功率集成器件等等。

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填空题在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中,开关速度最快的是(),单管输出功率最大的是(),应用最为广泛的是()。

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问答题试解释Power MOSFET的开关频率高于GTR、IGBT、GTO。

填空题与GTR相比MOSFET的优点有:开关速度快、损耗低、驱动功率小和()等优点。

填空题IGBT 的开启电压UGE(th)随温度升高而(),开关速度()电力MOSFET 。