比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。 A.GTOB.GTRC.MOSFET

比较而言,下列半导体器件中开关速度最快的是()。

A.GTO

B.GTR

C.MOSFET

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下列器件中存取速度最快的是()。 A、CacheB、主存C、寄存器D、硬盘

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比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）。 A. GTO B. GTR C. MOSFET

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金在半导体硅中主要作为复合中心，减少载流子寿命，提高器件开关速度。

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比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是A．IGBTB．MOSFETC．GTRD．GTO

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比较而言，下列半导体器件中开关速度最快的是（）A．IGBTB．MOSFETC．GTRD．GTO

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感应电机进行速度控制时，所用的半导体开关器件有GTO或A．VVVFB．PWMC．IGBTD．VVF

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下列器件中，开关速度最快的是（）A．GTRB．GTOC．MOSFETD．IGBT

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砷在半导体硅中主要作为复合中心，减少载流子寿命，提高器件开关速度

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1、在模拟电路中半导体器件主要工作在放大（线性区）；数字电路中半导体器件主要工作在开关（非线性区）。

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