自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。() 此题为判断题(对，错)。
PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
当PN结两端加正向电压时,在PN结内参加导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子，也有少数载流子
电导率σ=nqμ，其中n是，q是，μ是。（）A.载流子的数量，电场强度，载流子的迁移率B.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移速度C.载流子的数量，载流子的电荷量，载流子迁移速率D.载流子的类型，载流子的电荷量，载流子的迁移率
半导体的界面或表面被（）产生载流子后，生成的（）和（）由于载流子的作用向相反的方向漂移，引起载流子极化，从而产生了因光照射引起的电流。
下列关于P型半导体中载流子的描述，正确的是（）A、仅自由电子是载流子B、仅空穴是载流子C、自由电子和空穴都是载流子D、三价杂质离子也是载流子
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的（）运动和少数载流子的（）运动。
半导体中的多数载流子是由（）形成的，少数载流子是由（）产生的。
对PN结施加反向电压时，参与导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
当二极管导通后参加导电的是（）A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、共价键中的价电子
对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A、非平衡载流子浓度成正比；B、平衡载流子浓度成正比；C、非平衡载流子浓度成反比；D、平衡载流子浓度成反比。
三极管工作时，发射极发射载流子，（）输送和控制载流子，（）是收集载流子。
本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有（）A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子
晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电，而场效应管只有个别载流子导电。
三极管的集电区的作用是（）。A、发射载流子B、输送和控制载流子C、收集载流子D、控制载流子
填空题使非平衡载流子浓度增加的运动叫（）；使非平衡载流子浓度减少的运动叫（）。
问答题什么叫本征激发？温度越高，本征激发的载流子越多，为什么？试定性说明。
判断题自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。A对B错
单选题对于大注入下的直接复合，非平衡载流子的寿命不再是个常数，它与（）。A非平衡载流子浓度成正比；B平衡载流子浓度成正比；C非平衡载流子浓度成反比；D平衡载流子浓度成反比。
单选题半导体中的少数载流子产生的原因是（）A外电场B内电场C掺杂D热激发
单选题场效应管参与导电的载流子是（）。A电子B空穴C多数载流子D少数载流子
问答题何谓Hot carrier effect (热载流子效应)?