PN结加正向电压时,其正向电流是由()的。 A、多数载流子扩散而成B、多数载流子漂移而成C、少数载流子扩散而成D、少数载流子漂移而成
三极管的反向电流ICBO是由()组成的。 A、多数载流子B、少数载流子C、多数载流子和少数载流子D、带电离子
P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。
PN结是()形成的。 A、将P型和N型半导体掺杂B、在交界面上，多数载流子分别向对方扩散C、在交界面上，少数载流子分别向对方扩散D、多数载流子与少数载流子相互扩散
在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 此题为判断题(对，错)。
P型半导体，又称空穴型半导体，这种半导体空穴是多数载流子，电子是少数载流子。
N型半导体中，自由电子是多数载流子，空穴是少数载流子。
在N型杂质半导体中，多数载流子是（），少数载流子是（）。
P型半导体中的多数载流子是（），N型半导体中的多数载流子是电子。
半导体中有（）和（）两种载流子。N型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）P型半导体中的少数载流子是（），多数载流子是（）。
N型半导体中的多数载流子是（），少数载流子是（）。
二极管加正向电压时，其正向电流是由（）。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成
杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的？杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比，哪个大？为什么？
杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的，少数载流子是由（）产生的。
P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）
二极管加正向电压时，其正向是由（）。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子漂移形成
N型半导体是在半征半导体中掺入（）元素，其多数载流子是（），少数载流子（）。
在P型半导体中，（）是多数载流子，（）是少数载流子。
PN结加正向电压时，其正向电流是由（）的。A、多数载流子扩散形成B、多数载流子漂移形成C、少数载流子扩散形成D、少数载流子漂移形成
PN结反向漏电流是由（）产生的。A、电子B、空穴C、少数载流子D、多数载流子
判断题在P型半导体中，空穴是多数载流子，电子是少数载流子。A对B错
填空题N型半导体中多数载流子是（），少数载流子是（）。