单选题半导体中的少数载流子产生的原因是()A外电场B内电场C掺杂D热激发

单选题
半导体中的少数载流子产生的原因是()
A

外电场

B

内电场

C

掺杂

D

热激发


参考解析

解析: 半导体中的少数载流子产生的原因是热激发。

相关考题:

P型半导体的多数载流子是_________,少数载流子是______。

自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子的杂质半导体称为P型半导体。()

在N型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。 此题为判断题(对,错)。

P型半导体,又称空穴型半导体,这种半导体空穴是多数载流子,电子是少数载流子。

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

N型半导体中自由电子是少数载流子。

N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的()价元素组成的。这种半导体的多数载流子为(),少数载流子为()。不能移动的杂质离子带()电。

N型半导体中,自由电子是多数载流子,空穴是少数载流子。

在N型杂质半导体中,多数载流子是(),少数载流子是()。

半导体中有()和()两种载流子。N型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()P型半导体中的少数载流子是(),多数载流子是()。

P型半导体中多数载流子为(),少数载流子为()。

P型半导体的多数载流子是电子,少数载流子是空穴。

在P型半导体中,()是少数载流子。A、空穴B、电子C、硅D、锗

半导体中的多数载流子是由()形成的,少数载流子是由()产生的。

在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系

N型半导体中的多数载流子是(),少数载流子是()。

P型半导体的多数载流子是空穴,少数载流子是()

在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于(),而少数载流子的浓度则与()有很大关系。

杂质半导体中的多数载流子和少数载流子是如何产生的?杂质半导体中少数载流子的浓度与本征半导体中载流子的浓度相比,哪个大?为什么?

杂质半导体中的多数载流子是由掺杂产生的,少数载流子是由()产生的。

P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子。()

N型半导体是在半征半导体中掺入()元素,其多数载流子是(),少数载流子()。

在P型半导体中,()是多数载流子,()是少数载流子。

本征半导体由于热运动产生载流子使本征半导体中有()A、电子载流子B、空穴载流子C、电子载流子和空穴载流子

判断题注入电致发光显示在半导体PN结上加反偏压产生少数载流子注入,与多数载流子复合发光。A对B错

判断题在P型半导体中,空穴是多数载流子,电子是少数载流子。A对B错

填空题N型半导体中多数载流子是(),少数载流子是()。