比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。
比较电力MOSFET与IGBT内部结构，说明电力MOSFET在开关特性上的优点。
参考答案和解析
不同: IGBT 比电力 MOSFET 在背面多一个 P 型层,耐压能力及功率等级高于 MOSFET ,具有耐脉冲电流冲击的能力,且由于具备电导调制效应,通态压降较低,开关损耗少小于电力 MOSFET 。电力 MOSFET 结构与 IGBT 类似,但少了一层 P 型层,因此耐压能力及功率等级不及 IGBT ,且由于不具备电导调制效应,通态压降相对 IGBT 较高,导通损耗高于 IGBT ,但开关速度高于 IGBT ,且热稳定性好。 相同:两者驱动电路均为电压驱动型,输入阻抗高,所需驱动功率小且驱动电路简单,工作频率高,都不存在二次击穿问题。
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