晶体管的发射区的作用是向基区发射自由电子,集电区的作用是收集这些自由电子。() 此题为判断题(对，错)。
三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
晶体管的基区之所以做得很薄,是为了减少电子和空穴在基区的复合机会,从而使由发射区进入基区的载流子,绝大部分能进入集电区而形成较大的集电极电流。() 此题为判断题(对，错)。
晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
关于三极管,不正确的描述是() A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大
晶体管的内部结构分为三个区,即发射区、基区和集电区;两个结为发射和集电结。() 此题为判断题(对，错)。
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
晶体管的内部结构分为三个区，即发射区、基区和集电区；两个结为发射和集电结。
晶体管分为三层分别为（）A、发射区B、放大区C、集电区D、基区E、扩张区
晶体三极管的基区一般做得很薄，且掺杂很轻，多数载流子的浓度很高。
三极管具有（）的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项
晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
当集电结空间电荷限制效应是限制晶体管大电流特性的主要原因时，（）可以提高晶体管最大工作电流。A、增大基区掺杂浓度B、减小基区宽度C、减小发射结面积D、增大集电区杂质浓度
由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（）A、基区很薄B、基区掺杂浓度最高C、发射区掺杂浓度最高D、发射结的结面积小于集电结的结面积
三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。
以下属于三极管放大的外部条件是（）A、发射区掺杂浓度高B、集电结反偏C、基区薄且掺杂浓度低D、集电结面积大
填空题在设计与制造晶体管时，为提高晶体管的电流放大系数，应当（）基区宽度，（）基区掺杂浓度。
填空题发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A对B错