填空题发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(),反而会使其()。造成发射区重掺杂效应的原因是()和()。

填空题
发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(),反而会使其()。造成发射区重掺杂效应的原因是()和()。

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相关考题:

三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏

晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

关于三极管,不正确的描述是() A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大

PNP三极管工作特点是().A、发射区发射电子,集电区收集电子B、发射区发射空穴,集电区收集电子C、发射区发射电子,集电区收集空穴D、发射区发射空穴,集电区收集空穴

在高掺杂效应中,造成禁带收缩的主要原因是什么?

在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区

对NPN三极管来说,下列说法正确的是()。A、当发射极正向偏置时,从发射区来的少数截流子电子很容易越过发射区扩散到基区;B、扩散到基区的电子全被空穴复合掉了;C、外电路不断地向发射区补充电子,以维持多数载流子的浓度差;D、以上说法都错。

三极管具有()的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小,集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项

晶体管热噪声主要存在于()电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A、内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件,发射结正偏,集电结反偏D、外部条件,发射结反偏。集电结反偏

造成大电流时晶体管电流放大系数下降的因素有____、集电结空间电荷限制的效应、____。()A、基区电导调制效应,发射区有偏压效应B、基区有偏压效应,发射区电导调制效应C、基区电导调制效应,基区有偏压效应D、发射区有偏压效应,基区有偏压效应

由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同,因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。

根据晶体管的结构特点,()区的掺杂浓度最低。()区的掺杂浓度最高。

关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为()A、基区很薄B、基区掺杂浓度最高C、发射区掺杂浓度最高D、发射结的结面积小于集电结的结面积

三极管能放大的内因是:发射区掺杂浓度()、基区宽度()且杂质浓度()、集电结面积();外部条件是:发射结处于()偏置,集电结处于()偏置。

在杂质半导体中,少数载流子的浓度取决于()A、温度B、掺杂元素C、掺杂浓度D、掺杂工艺

以下属于三极管放大的外部条件是()A、发射区掺杂浓度高B、集电结反偏C、基区薄且掺杂浓度低D、集电结面积大

晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。

半导体三极管工作过程中()。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度;B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度;C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度;D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

填空题晶体管的注入效率是指()电流与()电流之比。为了提高注入效率,应当使()区掺杂浓度远大于()区掺杂浓度。

单选题杂质半导体中少数载流子浓度()A与掺杂浓度和温度无关B只与掺杂浓度有关C只与温度有关D与掺杂浓度和温度有关

填空题无源基区重掺杂的目的是()。

判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A对B错