由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。

由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。

相关考题：

三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
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三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。() 此题为判断题(对，错)。
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关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
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三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()
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晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件，发射结正偏，集电结反偏D.外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大
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关于三极管,不正确的描述是() A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大
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PNP三极管工作特点是（）.A、发射区发射电子，集电区收集电子B、发射区发射空穴，集电区收集电子C、发射区发射电子，集电区收集空穴D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
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三极管的集电区面积比发射区面积（）。A、大B、相等C、小D、不确定
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三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体，因此，可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。
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在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
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三极管具有（）的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项
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晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
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晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
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下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
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晶体三极管放大作用需满足的条件有（）。A、内部条件，基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件，基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件，发射结正偏，集电结反偏D、外部条件，发射结反偏。集电结反偏
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关于三极管的结构特点，以下说法不正确的为（）A、基区很薄B、基区掺杂浓度最高C、发射区掺杂浓度最高D、发射结的结面积小于集电结的结面积
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三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
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三极管能放大的内因是：发射区掺杂浓度（）、基区宽度（）且杂质浓度（）、集电结面积（）；外部条件是：发射结处于（）偏置，集电结处于（）偏置。
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以下属于三极管放大的外部条件是（）A、发射区掺杂浓度高B、集电结反偏C、基区薄且掺杂浓度低D、集电结面积大
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晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。
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三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
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半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
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晶体三极管的基区之所以做得很薄，其目的是减少电子和空穴在基区的复合机会，从而使发射区进入基区的载流子，绝大部分能进入集电区而形成较大的集电级电流。
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三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
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填空题发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时，不但不能提高（），反而会使其（）。造成发射区重掺杂效应的原因是（）和（）。
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判断题标准双极型工艺中的纵向NPN晶体管的发射区掺杂浓度比集电区小。A对B错
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