GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
GTR为电流型控制器件,用______来控制集电极电流。而IGBT是______控制器件,用栅极电压来控制漏极电流。因此,其对驱动电路的要求不同。
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1、MOSFET利用（）电压控制（）电流的大小，是（）器件。A．栅漏，漏极，电流控制电流B．栅源，漏极，电压控制电流C．漏源，漏极，电流控制电压D．栅源，栅极，电流控制电压