场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
一般开关电源MOSFET管的漏、源极完全导通时的栅极电压为()V。 A、0B、1C、5D、10
功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
增强型绝缘栅场效应管,当栅极g与源极s之间电压为零时()。 A、不能形成导电沟道B、漏极电压为零C、能够形成导电沟道D、漏极电流不为零
二极管导通状态描述错误的是（）A、锗二极管的导通电压为0.3V左右B、硅二极管的导通电压为0.6V左右C、二极管导通后，其导通电流不变D、二极管导通后，其导通电压不变
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
当反向电压小于击穿电压是二极管处于（）状态。A、死区B、截止C、导通D、击穿
对于门极关断晶闸管，当门极上加正触发脉冲时可使晶闸管导通，而当门极加上足够的负触发脉冲有可使导通的晶闸管关断。
功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。
对于门极关断晶闸管，当门极加上正触发脉冲时可使晶闸管导通，而当门极加上足够的负脉冲时又可使导通着的晶闸管关断。
当反向电压小于击穿电压时二极管处于（）状态。A、死区B、截止C、导通D、击穿
在发电机电压调节过程中，当发电机输出电压高于调节电压时，电子调节器中的大功率三极管（）。A、由截止状态转为导通状态B、由导通状态转为截止状态C、一直处于导通状态
晶闸管只有在（）极和（）极之间加（）电压的条件下，再在（）极和（）极之间加（）信号才能导通。
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
串联开关电源中，（）。A、开关管截止，负载上续流二极管提供的电流方向和开关管导通时一样。B、开关管和续流二极管同时接通。C、开关管间断导通，续流二极管持续导通。
晶闸管的门极作用是（）。A、晶闸管加正向阳极电压时，在门极加足够功率的正脉冲，可使晶闸管导通，导通后的晶闸管门极失去控制作用。B、只要在门极加正脉冲，就能使晶闸管导通。C、在门极加负脉冲，就能使晶闸管关断。
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，同时在基极上也施加正电压，那么（）。A、集电极电流导通B、基极电流导通C、发射极电流导通D、电流都不导通
三极管有饱和导通与截止状态，只要（）就能达到导通状态。A、发射极电压B、控制基极电流C、截止时集电极反偏D、发射结正偏E、集电结正偏
场效应晶体管的主要参数有（）A、开启电压B、低频跨导C、漏源击穿电压D、最大耗散功率E、最大漏极电流
当场效应晶体管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将（）A、增大B、不变C、减小D、无法确定
当晶闸管同时满足（）时，处于导通状态。A、阳极和阴极之间加上正向电压B、阳极和阴极之间加上反向电压C、控制极不加任何信号D、控制极加正向电压E、控制极加反向电压
功率场效应管的三个引脚符号为（）A、源极S、漏极D、发射极EB、漏极D、发射极E、集电极CC、栅极G、发射极E、集电极CD、源极S、漏极D、栅极G
单选题当反向电压小于击穿电压时二极管处于（）状态。A死区B截止C导通D击穿
判断题功率场效应管的通态电阻是指MOSFET导通时，漏源极电压与栅极电流的比值。A对B错
单选题在发电机电压调节过程中，当发电机输出电压高于调节电压时，电子调节器中的大功率三极管（）。A由截止状态转为导通状态B由导通状态转为截止状态C一直处于导通状态
多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
填空题稳定二极管稳压时是处于（）偏置状态，而二极管导通时是处于（）偏置状态。