场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
晶闸管的三个引出电极分别是()。 A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极
单结晶体管三个电极分别为()。A.发射极，基极，集电极B.第一基极，发射极，第二基极C.源极，栅极，漏极D.阴极，门极，阳极
可关断晶闸管三个电极分别为()。A.发射极，基极，集电极B.第一基极，发射极，第二基极C.源极，栅极，漏极D.阴极，门极，阳极
MOSFET功率管的三个极分别为漏极、栅极和()。 A、基极B、源极C、发射极D、阻板
场效应管三个电极分别为( )。 A.发射极，基极，集电极；B.第一基极，发射极，第二基极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
绝缘栅双极晶体管IGBT三个电极分别为( )。 A.发射极，基极，集电极；B.发射极，栅极，集电极；C.源极，栅极，漏极；D.阴极，门极，阳极。
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
场效应管的三个极分别为？（）A、发射极B、栅极C、源极D、漏极
MOS管的栅极与双极型三极管的相对应（）A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
晶体三极管的三个极分别为？（）A、栅极B、基极C、集电极D、发射极
场效应管放大电路以（）之间的信号作为输入信号。A、栅极和漏极B、栅极和源极C、漏极和源极D、基极和发射极
三极管的三个极是（）。A、同相输入极、反相输入极、输出极B、发射极、基极、集电极C、阳极、阴极、控制极D、栅极、漏极、源极
MOS管的栅极可与双极型栅极的（）相对应。A、基极B、集电极C、发射极D、发射极或集电极
场效应管的电极为（）。A、基极bB、发射极eC、集电极cD、源极sE、栅极gF、漏极d
晶体三极管的E，B，C三个极分别叫做（）A、发射极，集电极，基极B、集电极，发射极，基极C、发射极，基极，集电极D、基极，发射极，集电极
场效应管共漏极放大电路的信号是从（）A、栅极输入，漏极输出B、源极输入，漏极输出C、栅极输入，源极输出D、漏极输入，源极输出
IGBT的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、门极B、阳极、阴极 栅极C、栅极、源极 漏极D、发射极、栅极、集电极
晶闸管的3个引出电极分别是（）A、阳极、阴极、栅极B、阳极、阴极、门极C、栅极、漏极、源极D、发射极、基极、集电极
最常用的三极管放大电路是（）。A、基极与集电极共极电路B、共栅极电路C、共发射极电路D、共源极电路
绝缘栅双极晶体管IGBT中的G代表（）。A、集电极B、栅极C、发射极D、门极
IGBT是全控型晶体管的一种，它的三端器件是（）A、阳极、漏极、集电极B、栅极、集电极、发射极C、阴极、漏极、集电极D、阴极、栅极、集电极
三极管在调节器中起一个电子开关的作用。它有三个极，分别为（），发射极e和集电极c之间作为开关的通路，基极作为控制极，控制e和c之间的导通与载止。A、发射极e、基极b、集电极cB、发射极e、集电极b、基极cC、集电极e、基极b、发射极cD、发射极b、集电极e、基极c
场效应管的源极S、栅极G、漏极D，分别对应于晶体管的（）。A、射极、基极和集电极B、基极、射极和集电极C、集电极、基极和射极
场效应管的栅极相当于三极管的（）。A、发射极B、基极C、集电极
单选题晶闸管的3个引出电极分别是（）A阳极、阴极、栅极B阳极、阴极、门极C栅极、漏极、源极D发射极、基极、集电极
单选题IGBT的3个引出电极分别是（）A阳极、阴极、门极B阳极、阴极 栅极C栅极、源极 漏极D发射极、栅极、集电极