在场效应管放大电路中,测得各极电位分别为UD=6V,US=3V,UG=1V,则该场效应管为()MOS管。 A、N沟道耗尽型B、P沟道耗尽型C、P沟道增强型D、N沟道增强型
MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。() 此题为判断题(对，错)。
CMOS反相器是由一个增强型P沟道MOS场效应管和一个增强型N沟道MOS场效应管组成的。() 此题为判断题(对，错)。
结型场效应管的类型有()。 A.N沟道结型场效应管B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.P沟道增强型MOS管E.N沟道耗尽型MOS管F.P沟道耗尽型MOS管
结型场效应管可分为（）。A、MOS管和MNS管B、N沟道和P沟道C、增强型和耗尽型D、NPN型和PNP型
单极型集成电路不包含（）.A、普通晶体管（NPN管或PNP管）B、P沟道MOS管C、N沟道MOS管D、互补型MOS（即CMOS）
结型场效应管的类型有（）。A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
场效应管的类型有（）。A、结型场效应管B、绝缘栅型场效应管C、N沟道增强型MOS管D、P沟道增强型MOS管E、N沟道耗尽型MOS管F、P沟道耗尽型MOS管
MOS种类分为？（）A、P沟道场管B、Q沟道场管C、D沟道场管D、N沟道场管
UGS＝0V时，不能够工作在恒流区的场效应管有（）。A、N沟道结型管B、增强型MOS管C、耗尽型MOS管D、P沟道结型管
MOS场效应管按栅极开路时有无导电沟道分为增强型和（）两种类型。
非正弦周期电流电路的功率P用公式表示即（）。A、P=P0+P1+P2+…+P+…B、p=（P0+P1+P2+…+P+…）/2C、P=D、Po=｜P0｜+｜P1｜+｜P2｜+…+｜P｜+…
衬底为N型硅片的MOS管就是N沟道MOS场效应管。
某场效应管的IDSS为6mA，而IDQ自源极流出，大小为8mA，则该管是（）A、P沟道耗尽型MOS管B、N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管D、N沟道增强型MOS管
场效应管从结构上可分为两大类：（）、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类；对于MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、（）。
MOS管是用（）、（）和（）材料制成的。按沟道类型分有（）和（）两类，其每一类又可分（）为和（）两种。
P沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP为（）。A、正值B、负值C、零
更具结构不同，场效应管分为（）A、N沟道和P沟道场效应管B、NPN和PNP型场效应C、MOS管和MNS管D、结构和绝缘栅场效应管
CMOS反相器基本电路包括（）A、P沟道增强型MOS管和N沟道增强型MOS管B、P沟道耗尽型MOS管和N沟道耗尽型MOS管C、P沟道增强型MOS管和N沟道耗尽型MOS管D、P沟道耗尽型MOS管和N沟道增强型MOS型
单选题非正弦周期电流电路的功率P用公式表示即（）。AP=P0+P1+P2+…+P+…Bp=（P0+P1+P2+…+P+…）/2CP=DPo=｜P0｜+｜P1｜+｜P2｜+…+｜P｜+…
单选题下列关于Latch up效应说法不正确的是（）A衬底耦合噪声是造成Latch up问题的原因之一。BLatch up效应在电路上可以解释为CMOS集成电路中寄生三极管构成的正反馈电路。CLatch up效应与两个寄生三极管的放大系数有关。DLatch up效应与井和衬底的参杂浓度无关。
问答题MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？
问答题为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效应）？
填空题（）称为沟道效应，可以用（）、（）和（）来避免。其中，（）是最常用的方法。