填空题硅气相外延的硅源有()、()、()、()等。

填空题
硅气相外延的硅源有()、()、()、()等。

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相关考题:

外延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、()、固相外延等。

下列固体只呈现有火焰的气相燃烧阶段的是()。A、硫B、铁C、硅D、木炭

延生长方法比较多,其中主要的有()外延、()外延、金属有机化学气相外延、()外延、原子束外延、固相外延等。

在炉内作为硅还原的硅源主要来自()。

转炉炼钢常用的()有锰铁、硅铁、硅锰铁和铝等。A、赤铁矿B、铁合金C、无烟煤D、锰硅合金

我国电炉生产的硅铁的主要品种有硅45、硅65、硅75、()。

矿热炉生产硅铁、硅铬、硅锰等铁合金都采用()电极。

我国电炉生产的硅铁的主要品种有硅45、硅65、()、()。

采用固氧脱硅较采用气氧脱硅可增加对铁水包的侵蚀。

()是原矿浆中液相重量与固相重量的比值。A、硅量指数B、苛性比值C、液固比D、铝硅比

当气相压力降低到0.1大气压时,碳的脱氧能力大于硅的脱氧能力。

适合高温烘烤(T≥500℃)的合金有硅铁、锰铁、硅锰铁、铬铁、钛铁、钼铁等。

常用的脱氧剂有()等。A、生铁B、硅铁C、硅钙合金D、铝E、都不对

常用的脱氧剂有硅铁、锰铁、硅钙钡、()等。

硅的还原从滴落带开始,还原的途径有三种:渣铁反应、渣焦反应、气相SiO2还原,其中()是硅还原的主要途径。A、 渣铁反应B、 渣焦反应C、 气相SiO2还原

当气相压力降低到0.1atm,碳的脱氧能力大于硅的脱氧能力.

常用的铁合金脱氧剂有()等。A、硅铁、锰铁、铝铁B、硅钙(铁)、硅锰(铁)C、硅钡(铁)、硅铝(铁)D、硼铁、钼铁

钢成分中的主要化学元素有()。 A、铁、碳、锰、硅、硫和磷等B、碳、锰、硅、硫和磷等C、铁、锰、硅、硫和磷等D、铁、碳、锰和硅等

天然水中的胶体有两类:一类是()矿物质胶体,另一类是由动植物腐烂后的腐殖质形成的胶体。A、硅、镁、钙等B、硅、镁、钾等C、硅、钙、钾等D、硅、铁、铝等

利用化学气相沉积法和物理气相沉积法均可以获得非晶硅膜。

汽车用的硅整流发电机中,有九个整流管,其中三只小硅整流管构成()整流电路。A、三相半波B、与正极性硅整流管组成三相桥式全波C、双单相半波D、与负极性硅整流管组成三相桥式全波

硅整流满负荷时,硅整流电压不能升高,可能是交流电源()。A、硅元件损坏B、三相熔断器熔断C、两相熔断器熔断D、一相熔断器熔断

问答题简述硅气相外延的过程?

单选题半导体硅工业产品不包括()①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅A①②④B①②③④C②③④D③④

填空题在外延工艺中,如果膜和衬底材料(),例如硅衬底上长硅膜,这样的膜生长称为();反之,膜和衬底材料不一致的情况,例如硅衬底上长氧化铝,则称为()。

问答题硅气相外延工艺采用的衬底不是准确的晶向,通常偏离(100)或(111)等晶向一个小角度,为什么?

问答题什么是液相外延、气相外延和分子束外延?

填空题硅气相外延的硅源有()、()、()、()等。