产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。A、额定整流电流B、额定负荷电流C、额定开断电流
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
电压比校核试验变压器的高压输出端应串接保护电阻器，可采用（）。A、金属膜电阻器B、水电阻器C、线绕电阻器D、碳膜电阻器
采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R
单选题产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
判断题产生直流高压的半波整流电路高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流A对B错
单选题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。A额定整流电流B额定负荷电流C额定开断电流
判断题产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。A对B错
判断题产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
多选题产生高压的半波整流电路由（）构成。A升压试验变压器TB高压硅堆VC滤波电容CD保护电阻R
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。A对B错
多选题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有（）A额定整流电流B额定负荷电流C额定反峰电压D额定工作电压
判断题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错
判断题产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。A对B错