产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至是试品高压端。
直流高电压试验，为了限制试品放电时的放电电流，保护（）等，高压侧接取了保护电阻器。A、硅堆B、微安表C、试验变压器D、试品
直流高压试验完毕后，需待试品上的电压降至（）试验电压以下，将被试品先经电阻放电，最后直接接地放电。A、1/2B、1/3C、1/4D、1/5
高压试验时，保护球隙串保护电阻的作用是（）。A、防止球隙放电时烧伤球极表面B、抑制可能出现的球隙放电与被试品电容间产生振荡C、限制短路电流D、降低试品闪络或击穿时变压器高压绕组出口端的过电压
工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比，与滤波电容（含试品电容）及直流电压的大小成正比。
采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R
单选题产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
判断题产生直流高压的半波整流电路高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流A对B错
多选题高压试验时，保护球隙串保护电阻的作用是（）A防止球隙放电时烧伤球极表面B抑制可能出现的球隙放电与被试品电容间产生振荡C限制短路电流D降低试品闪络或击穿时变压器高压绕组出口端的过电压
判断题产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。A对B错
判断题产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
多选题产生高压的半波整流电路由（）构成。A升压试验变压器TB高压硅堆VC滤波电容CD保护电阻R
判断题产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。A对B错