产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。A对B错

产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。

A

B


参考解析

相关考题:

产生直流高压的半波整流电路中()用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错

产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。A对B错

依据《电力安全工作规程》(高压试验室部分),对直流试验电压超过100kV的设备和试品接地放电时,直接采用短路接地放电的方式进行放电。

油纸电缆或容性被试品直流耐压试验后进行放电,通常先让电缆或容性被试品通过自身绝缘电阻放电,然后通过80kΩ/1kV左右的电阻放电,不得使用树枝放电。最后再直接接地放电()。

对大电容的直流试验设备和试品,以及直流试验电压超过()的设备和试品接地放电时,应先用带电阻的接地棒或临时代用的放电电阻放电,然后再直接接地或短路放电。A、110kVB、220kVC、50kVD、100kV

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和()。A、额定整流电流B、额定负荷电流C、额定开断电流

产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。

产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。

进行直流泄漏或直流耐压试验时,在降压断开电源后,应对试品进行放电。其放电操作的最佳方式是()将试品接地放电A、直接用导线B、通过电容C、通过电感D、先通过电阻接地放电,然后直接用导线

直流耐压试验完毕,切断高压电源,一般需待试品上的电压降至()试验电压以下,才能将被试品经电阻接地放电,最后直接接地放电。A、3/4B、2/3C、1/2D、1/3

直流高电压试验,为了限制试品放电时的放电电流,保护()等,高压侧接取了保护电阻器。A、硅堆B、微安表C、试验变压器D、试品

直流高压试验完毕后,需待试品上的电压降至()试验电压以下,将被试品先经电阻放电,最后直接接地放电。A、1/2B、1/3C、1/4D、1/5

做避雷器的工频放电试验时,试验回路一般串接保护电阻,限制放电,电流R值若偏大,会使测得的工频放电电压()。A、偏高B、偏低C、不变D、不确定

高压试验时,保护球隙串保护电阻的作用是()。A、防止球隙放电时烧伤球极表面B、抑制可能出现的球隙放电与被试品电容间产生振荡C、限制短路电流D、降低试品闪络或击穿时变压器高压绕组出口端的过电压

工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压,其脉动因数与试品直流泄漏电流的大小成反比,与滤波电容(含试品电容)及直流电压的大小成正比。

产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后的脉动直流经()后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R

对大电容的直流试验设备和试品,以及直流试验电压超过100kV的设备和试品接地放电时,应先用()放电,然后再直接接地或短路放电。A、带电阻的接地棒B、带地线的接地棒C、临时代用的放电电阻D、临时代用的放电线圈E、绝缘导线

对直流试验电压超过()kV的设备和试品接地放电时,应先用带电阻的接地棒或临时代用的放电电阻放电,然后再直接接地或短路放电。

单选题产生直流高压的半波整流电路中()用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R

判断题产生直流高压的半波整流电路高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流A对B错

多选题高压试验时,保护球隙串保护电阻的作用是()A防止球隙放电时烧伤球极表面B抑制可能出现的球隙放电与被试品电容间产生振荡C限制短路电流D降低试品闪络或击穿时变压器高压绕组出口端的过电压

单选题产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和()。A额定整流电流B额定负荷电流C额定开断电流

判断题产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。A对B错

多选题产生高压的半波整流电路由()构成。A升压试验变压器TB高压硅堆VC滤波电容CD保护电阻R

判断题产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。A对B错