产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和()。A、额定整流电流B、额定负荷电流C、额定开断电流

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和()。

  • A、额定整流电流
  • B、额定负荷电流
  • C、额定开断电流

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产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错

产生直流高压的半波整流电路中()用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R

高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的()。A2倍B3倍C5倍

产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错

高压整流硅堆的额定整流电流应大于工作电流。A对B错

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错

产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。

直流耐压试验电压为50000伏,要求高压整流硅堆的额定反峰不得低于()。A、50000伏B、25000伏C、100000伏D、200000伏

产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。

高压整流硅堆的额定整流电流应大于工作电流。

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。

高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的()。A、2倍B、3倍C、5倍

采用半波整流方式进行直流耐压试验时,通常应将整流硅堆的负极接至是试品高压端。

直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时,高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。

直流高电压试验,高压硅堆上的反峰电压使用值()硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。A、不能超过B、不能小于C、应等于D、小于

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和()。A、额定负荷电流B、额定反峰电压C、额定开断电流D、额定工作电压

采用半波整流方式进行直流耐压试验时,通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。

产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后的脉动直流经()后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R

单选题产生直流高压的半波整流电路中()用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R

判断题产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错

单选题产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和()。A额定整流电流B额定负荷电流C额定开断电流

判断题直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时,高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。A对B错

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多选题产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有()A额定整流电流B额定负荷电流C额定反峰电压D额定工作电压

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