产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。A对B错
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。
产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。A、额定整流电流B、额定负荷电流C、额定开断电流
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。
产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻通常采用水电阻器。
产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。
电压比校核试验变压器的高压输出端应串接保护电阻器，可采用（）。A、金属膜电阻器B、水电阻器C、线绕电阻器D、碳膜电阻器
采用半波整流方式进行直流耐压试验时，通常应将整流硅堆的负极接至试品高压端。
产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后的脉动直流经（）后会减小直流电压的脉动。A、升压试验变压器TB、降压变压器C、滤波电容CD、保护电阻R
单选题产生直流高压的半波整流电路中（）用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错
判断题产生直流高压的半波整流电路高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流A对B错
单选题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和（）。A额定整流电流B额定负荷电流C额定开断电流
判断题产生直流高压的半波整流电路中，经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错
多选题产生高压的半波整流电路由（）构成。A升压试验变压器TB高压硅堆VC滤波电容CD保护电阻R
判断题产生直流高压的半波整流电路中，升压变压器的输出电压经滤波电容C后变为脉动直流。A对B错
多选题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有（）A额定整流电流B额定负荷电流C额定反峰电压D额定工作电压
判断题产生直流高压的半波整流电路中，高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错
判断题产生直流高压的半波整流电路中高压保护电阻R用于限制试品放电时的放电电流。A对B错