产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。

A

B


参考解析

相关考题:

产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错

产生直流高压的半波整流电路中()用于限制试品放电时的放电电流。A升压试验变压器TB高压硅堆VC保护电阻R

高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的()。A2倍B3倍C5倍

产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错

高压整流硅堆的额定整流电流应大于工作电流。A对B错

产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。

直流耐压试验电压为50000伏,要求高压整流硅堆的额定反峰不得低于()。A、50000伏B、25000伏C、100000伏D、200000伏

产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和()。A、额定整流电流B、额定负荷电流C、额定开断电流

高压整流硅堆的额定整流电流应大于工作电流。

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。

高压整流硅堆的额定整流电流应()工作电流。A、大于B、小于C、等于

高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的()。A、2倍B、3倍C、5倍

直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时,高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。

直流高电压试验,高压硅堆上的反峰电压使用值()硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。A、不能超过B、不能小于C、应等于D、小于

产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定整流电流和()。A、额定负荷电流B、额定反峰电压C、额定开断电流D、额定工作电压

判断题产生直流高压的半波整流电路中,升压变压器的输出电压经高压硅堆V后变为脉动直流。A对B错

单选题高压整流硅堆的额定整流电流应()工作电流。A大于B小于C等于

判断题高压整流硅堆的额定整流电流应大于工作电流。A对B错

单选题产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和()。A额定整流电流B额定负荷电流C额定开断电流

判断题高压整流硅堆的额定电流应大于工作电流。A对B错

判断题直流高压试验采用高压硅堆作整流元件时,高压硅堆上的反峰电压使用值不能超过硅堆的额定反峰电压,其额定整流电流应大于工作电流,并有一定的裕度。A对B错

单选题高压整流硅堆的额定反峰电压应大于整流输出直流电压的()。A2倍B3倍C5倍

单选题高压整流硅堆的额定电流应()工作电流A大于B小于C等于

判断题产生直流高压的半波整流电路中,经高压硅堆V后变为脉动直流,经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。A对B错

多选题产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有()A额定整流电流B额定负荷电流C额定反峰电压D额定工作电压

判断题产生直流高压的半波整流电路中,高压整流硅堆的额定参数主要有额定反峰电压和额定整流电流。A对B错