问答题一般的硅片（wafer）基材（substrate）可区分为N，P两种类型（type），何谓 N， P-type wafer？
问答题
一般的硅片（wafer）基材（substrate）可区分为N，P两种类型（type），何谓 N， P-type wafer？
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解析：
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相关考题：
● 用数学归纳法证明命题 P(n)对任何自然数正确，一般包括两个步骤：第一，建立基础，例如证明P(1)正确；第二，建立推理关系，例如证明n≥1 时，如果命题P(n)正确则可以推断命题P(n+1)也正确。这种推理关系可以简写为：n≥1 时P(n)→P(n+1)。 将上述数学归纳法推广到二维情况。为证明命题P(m,n)对任何自然数m与n正确，先证明P(1,1)正确，再证明推理关系 (53) 正确 。（53）A. m≥1,n≥1时，P(m,n)→P(m+1,n+1)B. m≥1,n≥1时，P(m,n)→P(m,n+1)以及P(m+1,n+1)C. m≥1,n≥1时，P(m,n)→P(m+1,n)以及P(m,n+1)D. n≥1时，P(1,n)→P(1,n+1)；m≥1,n≥1时，P(m,n)→P(m+1,n+1)
下列等式成立的有()。 A.(F/A,i,n)=(P/F,i,n)X(A/P,i,n)B.(P/F,i,n)=(A/F,i,n)×(P/A,i,n)C.(A/P,i,n)=(F/P,i,n)×(A/F,i,n)D.(A/P,i,n)=(P/F,i,n1)×(A/F,i,n2),n1+n2=nE.(A/F,i,n)=(P/F,i,n)X(A/P,i,n)
int AA(LNode *HL , ElemType x){int n=0; LNode *p=HL;while (p!=NULL){if (p->data= =x) n++;p=p->next; }return n;}对于结点类型为LNode的单链表，以上算法的功能为：()
已知n=n1+n2，则（）。A、（F／P，i，n）=（F／P，i，n1）+（F／P，i，n2）B、（F／P，i，n）=（F／P，i，n1）×（F／P，i，n2）C、（P／F，i，n）=（P／F，i，n1）+（P／F，i，n2）D、（P／F，i，n）=（P／F，i，n1）×（F／P，i，n2）
下列关于时间价值系数的关系式，表达不正确的是（）。A、（F/A，i，n）=（F/P，i，n）×（P/A，i，n）B、（F/P，i，n）=（F/P，i，n1）×（F/P，i，n2），其中：n1+n2=nC、（F/P，i，n）=（F/P，i，n1）+（F/P，i，n2），其中：n1+n2=nD、（P/A，i，n）=（P/F，i，n）／（A／F，i，n）
当PN结及附近被光照时，若光子能量大于材料禁带宽度将会产生电子空穴对，在内电场作用下，电子、空穴分别漂移到（）和（），使P端电势（）N端电势（），以下正确的是（）A、P区；N区；升高；降低B、N区；P区；升高；降低C、N区；P区；降低；升高D、P区；N区；降低；升高
下列资金等值计算式中，正确的有（）。A、(A，P，i，n)×(P/A，i，n)=1B、(A，F，i，n)=1/(P/A，i，n)C、(P，4，i，n)=(P/F，i，n)×(F/A，i，n)D、(PA，i，n)=(P/F，i，n)×(A/F，i，n)E、(A，P，i，n)=(F/P，i，n)×(F/A，i，n)
下列关系式中正确的有（）A、（F/A，i，n）＝（F/P，i，n）×（P/A，i，n）B、（F/P，i，n）＝（F/P，i，n1）×（F/P，i，n2）其中n1＋n2＝nC、（P/F，i，n）＝（P/F，i，n1）＋（P/F，i，n2）其中n1＋n2＝nD、（P/A，i.n）＝（P/F，i，n）/（A/F，i，n）E、1/（F/A，i，n）＝（A/F，i，n）
多选题在资金的等值计算中，i，n 为定值，下列等式中不正确的是（ ）。A（F/P，i，n）= （F/A，i，n）·（P/A，i，n）B（F/P，i，n）= （F/A，i，n）·（A/P，i，n）C（F/P，i，n）·（P/A，i，n）·（A/F，i，n）=1D（F/P，i，n1+n2）= （F/P，i，n1）·（F/P，i，n2）E（F/P，i，n）·（P/A，i，n）·（A/P，i，n）=1
多选题下列资金等值计算式中，正确的有（）。A(A，P，i，n)×(P/A，i，n)=1B(A，F，i，n)=1/(P/A，i，n)C(P，4，i，n)=(P/F，i，n)×(F/A，i，n)D(PA，i，n)=(P/F，i，n)×(A/F，i，n)E(A，P，i，n)=(F/P，i，n)×(F/A，i，n)
多选题下列资金等值计算式中，正确的有（ ）。[2010年真题]A（A/P，i，n）×（P/A，i，n）=1B（A/F，i，n）=1/（P/A，i，n）C（P/A，i，n）=（P/F，i，n）×（F/A，i，n）D（P/A，i，n）=（P/F，i，n）×（A/F，i，n）E（A/P，i，n）=（F/P，i，n）×（F/A，i，n）
问答题目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片（wafer）工艺？未来北京的Fab4（四厂）采用多少mm的wafer工艺？