单选题抑制性突触后电位产生的离子机制是()。ANa+内流BK+内流CCa2+内流DClˉ内流EK+外流

单选题
抑制性突触后电位产生的离子机制是()。
A

Na+内流

B

K+内流

C

Ca2+内流

D

Clˉ内流

E

K+外流


参考解析

解析: 突触后膜电位在递质作用下发生超极化,使该突触后神经元对其他刺激的兴奋性降低,这种电位变化称为抑制性突触后电位(IPSP)。其产生机制为:抑制性中间神经元释放抑制性递质→递质作用于突触后膜受体→突触后膜对Clˉ通透性升高→突触后膜发生超极化,即产生抑制性突触后电位。

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膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位() A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+

膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。

(备选答案)A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+1.促使轴突末梢释放神经递质的离子是2.可产生抑制性突触后电位的离子基础是3.静息电位产生的离子基础是

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.Mg2+

抑制性突触后电位产生的离子机制主要是A.Na+内流B.K+外流C.Ca2+内流D.Cl-内流E.Na+内流和K+外流

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl—E.Mg2+

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-E. H+

A.KB.NaC.CaD.ClE.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-E. H+

抑制性突触后电位产生的离子机制是()A.内流B.内流C. 内流D. 内流E. 外流

抑制性突触后电位产生的离子机制是A. Na+内流B. K+内流C. Ca 2+内流D. Cl -内流E. K+外流

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+ B.Na+ C.Ca2+ D.Cl- E.H+

A.NaB.ClC.MgD.CaE.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.Cl-C.Na+D.K+E.Mg2+

膜主要对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位 (  )A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+

抑制性突触后电位使突触后膜超极化,与之相关的离子通道是()A、钙离子通道B、钠离子通道C、钾离子通道D、氯离子通道E、镁离子通道

抑制性突触后电位产生的离子机制是()A、Na+内流B、K+内流C、Ca2+内流D、Cl-内流E、K+外流

叙述动作电位产生的离子机制。

单选题膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位?(  )ABCDE

单选题下列哪项是抑制性突触后电位产生的离子机制?(  )ANa+内流BK+内流CCa2+内流DCl-内流EK+外流

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