A.KB.NaC.CaD.ClE.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是
A.K
B.Na
C.Ca
D.Cl
E.H![](https://assets.51tk.com/images/df5f1833fc245640_img/b36fd7fb3d79d31c.gif)
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B.Na
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C.Ca
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D.Cl
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E.H
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可产生抑制性突触后电位的离子基础是
参考解析
解析:
冲动传到突触前末梢,触发前膜中的Ca
通道开放,一定量的Ca
顺浓度差流入突触内,在Ca
的作用下一定数量的突触泡将递质外排到突触间隙,此过程称胞吐。被释放的递质扩散到突触间隙,到达突触后膜,与位于后膜中的受体结合,故1题选C。抑制性突触后电位因为Cl
通透性的增大导致突触后膜超极化而引起短路效应,使兴奋性突触后电位的去极化减少,而抑制了动作电位的发生。故2题选D。
冲动传到突触前末梢,触发前膜中的Ca
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