膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位() A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+

膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位()

A、K+

B、Na+

C、Ca2+

D、Cl-

E、H+


相关考题:

膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+

A.NaB.ClC.MgD.CaE.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.Cl-C.Na+D.K+E.Mg2+

膜主要对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位 (  )A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+

膜主要对哪种离子的通透性升高时,可产生兴奋性突触后电位 (  )A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+

抑制性突触后电位(IPSP)的产生是后膜对哪种离子通透性增加A.Na+B.K+C.Ca2+D.Cl-

抑制性突触后电位的产生是由于突触后膜对哪种(些)离子通透性变化所致A.Na+或K+通透性升高B.Ca2+或K+通透性升高C.Ca2+或Cl-通透性升高D.K+或Cl-通透性升高

抑制性突触后电位是由于突触后膜对哪种离子的通透性增高而产生A.Ca2+B.Na+C.K+D.Cl-和K+