产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。


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膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位() A、K+B、Na+C、Ca2+D、Cl-E、H+

膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位( )。

(备选答案)A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+1.促使轴突末梢释放神经递质的离子是2.可产生抑制性突触后电位的离子基础是3.静息电位产生的离子基础是

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.ClC.Na+D.K+E.Mg2+

产生抑制性突触后电位的主要离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.Mg2+

抑制性突触后电位产生的离子机制主要是A.Na+内流B.K+外流C.Ca2+内流D.Cl-内流E.Na+内流和K+外流

产生抑制性突触后电位的主要离子流是( )

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl—E.Mg2+

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-E. H+

A.KB.NaC.CaD.ClE.H可产生抑制性突触后电位的离子基础是

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A. K+B. Na+C. Ca2+D. Cl-E. H+

抑制性突触后电位产生的离子机制是()A.内流B.内流C. 内流D. 内流E. 外流

抑制性突触后电位产生的离子机制是A. Na+内流B. K+内流C. Ca 2+内流D. Cl -内流E. K+外流

可产生抑制性突触后电位的离子基础是A.K+ B.Na+ C.Ca2+ D.Cl- E.H+

A.NaB.ClC.MgD.CaE.K突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位

突触后膜对下列哪种离子通透性增加产生抑制性突触后电位A.Ca2+B.Cl-C.Na+D.K+E.Mg2+

膜主要对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位 (  )A.K+B.Na+C.Ca2+D.Cl-E.H+

抑制性突触后电位产生的离子机制是()A、Na+内流B、K+内流C、Ca2+内流D、Cl-内流E、K+外流

抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关()A、Cl—B、K+C、Na+D、Fe2+E、Ca2+

单选题膜对哪种离子的通透性升高时,可产生抑制性突触后电位?(  )ABCDE

单选题下列哪项是抑制性突触后电位产生的离子机制?(  )ANa+内流BK+内流CCa2+内流DCl-内流EK+外流

单选题抑制性突触后电位产生的离子机制是()ANa+内流BK+内流CCa2+内流DCl-内流EK+外流

单选题产生抑制性突触后电位时,突触后膜对哪种离子通透性升高?(  )ABCDE

单选题抑制性突触后电位产生的离子机制是()。ANa+内流BK+内流CCa2+内流DClˉ内流EK+外流

单选题可产生抑制性突触后电位的离子基础是()AK+BH+CCa2+DCl-ENa+

单选题抑制性突触后电位的形成主要与下列哪种离子有关()ACl—BK+CNa+DFe2+ECa2+