受控电源分为(). A、电压控制电压源B、电压控制电流源C、电流控制电压源D、电流控制电流源
场效应管的工作原理是() A、栅源电压控制漏极电流B、栅源电压控制漏极电压C、栅极电流控制漏极电流D、栅极电流控制漏极电压
某场效晶体管,在漏、源电压保持不变的情况下,栅、源电压变化为2V时,相应的漏极电流变化为4mA,该管的跨导是()。 A、0.5mA/VB、1mA/VC、2mA/V
场效应管本质上是一个( )。A.电流控制电流源器件B.电流控制电压源器件C.电压控制电流源器件D.电压控制电压源器件
场效应晶体管是用()控制漏极电流的。A、栅源电流B、栅源电压C、漏源电流D、漏源电压
功率MOSFET的极限参数指的是( )。A、最大漏极电流B、最小漏极电流C、最大许用漏-源电压D、最小许用漏-源电压
受控源包含()A电压控制电压源B电压控制电流源C电流控制电压源D电流控制电流源
场效应管是通过改变()来控制漏极电流的。 A、栅极电流B、栅源电压C、源极电压D、源极电流
电流串联负反馈具有（）的性质A.电压控制电压源B.电压控制电流源C.电流控制电压源D.电流控制电流源
描述场效应晶体管的输入特性的主要参数是（）。A、漏极电流，压漏－源电压，以栅极电压为参变量B、漏极电流，栅极电压，以漏－源电压为参变量C、基极电压，集电极电流，以集电极电压为参变量D、漏极电流，栅极电流，以漏－源电压为参变量
半导体三极管本质上是一个（）器件。A、电流控制的电压源B、电压控制的电压源C、电流控制的电流源D、电压控制的电流源
场效应晶体管的栅源电压变化可以控制漏电流变化。（）
下列哪个电源是独立源（）A、电压控制电压源B、电流控制电流源C、电压控制电流源D、电流源、电压源
四种类型的受控源分别为（）。A、电压控制电压源B、电压控制电流源C、电流控制电压源D、电流控制电流源
受控源分为（）。A、电压控制电压源B、电压控制电流源C、电压源D、电流控制电压源E、电流控制电流源F、电流源
场效应管中，夹断电压表示漏极电流为（）时的栅源电压。
在受控源电路中，控制源为VCCS，则其含义为（）A、电压控制电压源B、电流控制电流源C、电压控制电流源D、电流控制电压
场效应管本质上是一个（）A、电流控制电流源器件B、电压控制电流源器件C、电流控制电压源器件D、电压控制电压源器件
根据场效应管的转移特性，可知场效应管是一种（）器件。A、电压控制电压源B、电流控制电压源C、电压控制电流源D、电流控制电流源
场效应管是通过（）改变漏极电流的。A、栅极电流B、栅源电压C、漏源电压
N沟道JFET的跨导gm是（）A、一个固定值B、随电源电压VDD增加而加大C、随静态栅源电压VGS增加而加大D、随静态栅源电压VGS增加而减小
场效应管工作在饱和区时，其漏极电流iD和栅源电压VGS之间呈（）关系。
JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制，来改变（）的宽窄，从而控制漏极电流的大小；而MOSFET则是利用栅源电压的大小，来改变半导体表面（）的多少，从而控制漏极电流的大小。
利用栅源电压控制漏极、源极之间的导电沟道的形成或消失，可以将MOS管作为开关器件使用。
单选题下列哪个电源是独立源（）A电压控制电压源B电流控制电流源C电压控制电流源D电流源、电压源
单选题场效应管的漏极电流是受以下哪种参数控制的。（）A栅极电流B栅源电压C漏源电压D栅漏电压
多选题功率MOSFET的极限参数指的是（）。A最大漏极电流B最小漏极电流C最大许用漏-源电压D最小许用漏-源电压
单选题场效应管本质上是一个（）A电流控制电流源器件B电流控制电压源器件C电压控制电流源器件D电压控制电压源器件