CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。A．硅烷B．二氯硅烷C．TEOSD．氮化硅

CVD多晶硅薄膜的硅源是（）。

A．硅烷

B．二氯硅烷

C．TEOS

D．氮化硅

参考答案和解析
A

相关考题：

硅提纯及制备工艺流程正确的是()。 A、石英砂-西门子法多晶硅-金属硅-直拉单晶硅B、金属硅-石英砂-西门子法多晶硅-直拉单晶硅C、石英砂-金属硅-西门子法多晶硅-直拉单晶硅D、西门子法多晶硅-石英砂-金属硅-直拉单晶硅
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简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
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简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
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宁东光伏电站的电池组件是（）材料。A、多晶硅B、单晶硅C、薄膜D、砷化钾
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在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。A、凸透镜B、凹透镜C、聚光镜D、平光镜
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薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）所用的半导体材料中，目前使用最广泛、发展最成熟的是（）。A、非晶硅B、单晶硅C、多晶硅
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简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
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简述采用5次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程的难点与特点。
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单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能（）技术的最基本元件。A、热能B、光热发电C、电磁辐射D、光伏发电
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通常情况下光电转换效率最高的是（）太阳电池。A、单晶硅B、多晶硅C、薄膜D、有机半导体
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在多晶硅薄膜制造装置中可使用RTP，将得到的灯光用（），然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
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铸造技术为何能提高多晶硅纯度；制备铸造多晶硅的工艺流程；描述直培法工艺；影响直培法制备柱形多晶硅的因素。
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下列太阳能电池中，现批量生产效率最高的是（）。A、单晶硅B、多晶硅C、硅基薄膜电池D、聚光太阳能电池
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异质基片上高品质叠层的多晶硅型薄膜技术有几种方法？
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太阳能光伏发电的最基本元件有（）A、太阳能电池（片）B、单晶硅C、多晶硅D、非晶硅E、铜铟镓硒薄膜电池
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光伏电站的电池组件是（）材料。A、多晶硅B、单晶硅C、薄膜D、砷化钾
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判断题实现对CVD淀积多晶硅掺杂主要有三种工艺：扩散、离子注入、原位掺杂。由于原位掺杂比较简单，所以被广泛采用。A对B错
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判断题CVD是利用某种物理过程，例如蒸发或者溅射现象实现物质的转移，即原子或分子由源转移到衬底（硅）表面上，并淀积成薄膜。A对B错
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单选题在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。A凸透镜B凹透镜C聚光镜D平光镜
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单选题单晶硅、多晶硅、非晶硅和铜铟镓硒薄膜电池等是太阳能（）技术的最基本元件。A热能B光热发电C电磁辐射D光伏发电
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单选题宁东光伏电站的电池组件是（）材料。A多晶硅B单晶硅C薄膜D砷化钾
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单选题做集成电路的多晶硅电阻设计时，要计算每个电阻的阻值，那么电阻的长度是怎样计算的？（）A整个多晶硅的长度B多晶硅中两个引线孔中心点的距离C多晶硅中两个引线孔内侧的距离D多晶硅中两个引线孔外侧的距离
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问答题沉积多晶硅栅材料采用什么CVD工具，列举多晶硅作为栅电极的6个原因。
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单选题太阳辐射量较低.散射分量较大.环境温度较高的地区宜选用（）。A单晶硅光伏组件B多晶硅光伏组件C薄膜光伏组件
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问答题简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。
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单选题光伏电站的电池组件是（）材料。A多晶硅B单晶硅C薄膜D砷化钾
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