导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为()。 A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
硅二极管的死区电压约为()伏。 A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
锗二极管的死区电压约为()伏。 A. 0.1B. 0.7C. 0.2D. 0.5
二极管真正导通后,硅管的电压约为()V。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
在三极管的输入特性曲线中,锗管的死区电压约为()左右。 A.0.3VB.0.1VC.0.2VD.0.5V
二极管的电压—电流关系可简单理解为()导通,()截止的特性。导通后,硅管管压降约为(),锗管管压降约为()。
导通后二极管两端电压变化很小，锗管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管与锗管的死区电压分别为（）。A、0.7、0.3B、0.3、0.7C、0.5、0.2D、0.2、0.5
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
在三极管的输入特性曲线中，锗管的死区电压约为（）左右。A、0.3VB、0.1VC、0.2VD、0.5V
二极管真正导通后，锗管的电压约为（）V。A、0.3B、0.5C、0.7D、0.9
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
硅二极管的导通电压值约为（），锗二极管的导通电压约为（）。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
二极管当正向电压超过UVD后，二极管开始导通。正常导通时，二极管的正向管压降很小，硅管约为（），锗管约为（）。
在常温下，硅二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）；锗二极管的门槛电压约为（），导通后在较大电流下的正向压降约为（）。
导通后二极管两端电压变小，硅管约为（）。A、0.5VB、0.7VC、0.3VD、0.1V
对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A、0.7B、0.5C、0.2D、0.3
硅管的导通电压（）。A、为0.3VB、为0.7VC、约为0.7VD、约为0.3V
单选题锗二极管导通时，它两端电压约为（）。A1VB0.7VC0.3VD0.5V
填空题硅管的死区电压（）伏，锗管的死区电压约为（）伏。
单选题对于硅三极管，发射极的死区电压约为（）V。A0.7B0.5C0.2
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？