三极管 区的掺杂浓度最高、 区最薄、 区面积最大。

三极管 区的掺杂浓度最高、 区最薄、 区面积最大。


参考答案和解析
发射,基,集电

相关考题:

三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定

关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积

三极管BJT制作时,通常基区掺杂浓度低;发射区的杂质浓度则很高。()

晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。 A.内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B.内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C.外部条件,发射结正偏,集电结反偏D.外部条件,发射结反偏。集电结反偏

晶体管能够放大的内部条件是()。 A.两个背靠背的PN结B.自由电子与空穴都参与导电C.有三个掺杂浓度不同的区域D.发射区高掺杂;基区很薄;集电区掺杂浓度低但面积大

关于三极管,不正确的描述是() A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大

我国海拔最高、面积最大的自然保护区是:A.长白山自然保护区B.三江源自然保护区C.鼎湖山自然保护区D.卧龙自然保护区

焊接接头最薄弱的区域在()A、热影响区B、部分相变区C、过热区D、正火区

三极管的集电区面积比发射区面积()。A、大B、相等C、小D、不确定

在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是()。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区

三极管的开关状态是指三极管工作在()。A、截止区和放大区B、放大区和饱和区C、放大区和线性区D、截止区和饱和区

三极管具有()的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小,集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项

晶体三极管放大作用需满足的条件有()。A、内部条件,基区掺杂浓度小于发射区掺杂浓度B、内部条件,基区掺杂浓度大于发射区掺杂浓度C、外部条件,发射结正偏,集电结反偏D、外部条件,发射结反偏。集电结反偏

由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同,因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。

根据晶体管的结构特点,()区的掺杂浓度最低。()区的掺杂浓度最高。

半导体三极管的结构分为三个区,分别是()区、()区、()区。

关于三极管的结构特点,以下说法不正确的为()A、基区很薄B、基区掺杂浓度最高C、发射区掺杂浓度最高D、发射结的结面积小于集电结的结面积

三极管的输出特性曲线分为()区、()区和()区。

三极管能放大的内因是:发射区掺杂浓度()、基区宽度()且杂质浓度()、集电结面积();外部条件是:发射结处于()偏置,集电结处于()偏置。

以下属于三极管放大的外部条件是()A、发射区掺杂浓度高B、集电结反偏C、基区薄且掺杂浓度低D、集电结面积大

晶体三极管发射区掺杂浓度远大于基区掺杂浓度。

三极管最薄的区是()。A、发射区B、集电区C、基区

半导体三极管工作过程中()。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度;B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度;C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度;D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。

填空题晶体管的注入效率是指()电流与()电流之比。为了提高注入效率,应当使()区掺杂浓度远大于()区掺杂浓度。

填空题由于源、漏区的掺杂浓度()于沟道区的掺杂浓度,所以MOSFET源、漏PN结的耗尽区主要向()区扩展,使MOSFET的源、漏穿通问题比双极型晶体管的基区穿通问题()。

问答题为了使三极管能有效地起放大作用,对三极管的发射区掺杂浓度有什么要求、基区宽度有什么要求、集电结面积比发射结面积大小有何要求。其理由是什么?如果将三极管的集电极和发射极对调使用(即三极管反接),能否起放大作用?

填空题发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(),反而会使其()。造成发射区重掺杂效应的原因是()和()。