晶体三极管由()PN结组成,分成基区、发射区和集电区。 A、一个B、两个C、三个D、四个
三极管哪个区的掺杂浓度最高() A、基区B、发射区C、集电区D、不确定
三极管的发射区和集电区是同类型半导体,因此,发射极和集电极是可以互换使用的。() 此题为判断题(对，错)。
关于BJT的结构特点说法错误的是()。A、基区很薄且掺杂浓度很低B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D、集电区面积大于发射区面积
关于三极管,不正确的描述是() A.基区薄且低掺杂B.发射区高掺杂C.发射结面积大D.集电结面积大
三极管的发射区和集电区是由同一种杂质半导体构成的，故发射极和集电极可以互换使用。
PNP三极管工作特点是（）.A、发射区发射电子，集电区收集电子B、发射区发射空穴，集电区收集电子C、发射区发射电子，集电区收集空穴D、发射区发射空穴，集电区收集空穴
三极管的集电区、发射区用的是同一种杂质半导体，因此，可将三极管的集电极和发射极可以互换使用。
在晶体三极管中掺杂浓度最高的区域是（）。A、基区B、集电区C、发射区D、饱和区
晶体三极管的发射区和集电区是由同一类半导体材料（N型或P型）构成的，所发射极和集电极可以互换。
三极管是有三层半导体材料组成的，有三个区域，中间的一层为（）A、基区B、栅区C、集电区D、发射区
晶体三极管它有三个区和三个引出电极，分别是（）。A、集电区（极）B、基区（极）C、控制区（极）D、发射区（极）
三极管具有（）的特点。A、发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度B、基区非常薄C、集电区掺杂浓度较小，集电结的面积比发射结的面积大D、以上三项
晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
晶体管热噪声主要存在于（）电阻内。A、基区B、发射区C、集电区D、发射区和集电区
下列关于晶体三极管说法证确的是（）。A、发射区与基区交界处的PN结为发射结B、基区与集电区交界处的PN结为发射结C、发射区与基区交界处的PN结为集电结D、发射区与集电区交界处的PN结为集电结
叙述晶体三极管电流的传输过程（）。A、发射区向基区注入载流子过程B、少数载流子，在基区扩散与复合过程C、集电区收集载流子的过程D、基区向发射区注入载流子过程
晶体三极管从结构上划分，有如下：（）。A、发射区B、基区C、集电区D、放大区
由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。
三极管工作在放大状态时，发射区是（）载流子，基区则是作为输送和控制载流子的基地，集电区是（）载流子的。
三极管有（）型和（）型两种结构，三极管中集电区与基区之间的PN结称为（）结，基区与发射区之间的PN结成为（）结。
晶体三极管的发射区和集电区由同一类半导体（N型或P型）构成，所以发射极和集电极可以相互调换使用。
三极管最薄的区是（）。A、发射区B、集电区C、基区
半导体三极管工作过程中（）。A、发射区杂质浓度大于基区杂质浓度；B、发射区杂质浓度小于基区杂质浓度；C、发射区杂质浓度等于基区杂质浓度；D、发射区杂质浓度大于集电区杂质浓度。
三极管有三个PN结和三个区—发射区、集电区、基区。
填空题晶体三极管是由（）个PN结组成，分成基区、发射区、集电区.
问答题为了使三极管能有效地起放大作用，对三极管的发射区掺杂浓度有什么要求、基区宽度有什么要求、集电结面积比发射结面积大小有何要求。其理由是什么？如果将三极管的集电极和发射极对调使用（即三极管反接），能否起放大作用？