迁移率代表了载流子导电能力的大小。

迁移率代表了载流子导电能力的大小。


参考答案和解析
错误

相关考题:

晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。() 此题为判断题(对,错)。

对PN结加反偏电压时,参与导电的是()。 A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子,也有少数载流子

有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电,一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子,既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料

迁移率为载流子在单位电场中的迁移速度()

电导率σ=nqμ,其中n是,q是,μ是。()A.载流子的数量,电场强度,载流子的迁移率B.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移速度C.载流子的数量,载流子的电荷量,载流子迁移速率D.载流子的类型,载流子的电荷量,载流子的迁移率

抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。()

迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。()

半导体材料的电阻率与载流子浓度有关,同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电阻率()A、越高B、不确定C、越低D、不变

在本征半导体中,因为有自由电子和空穴两种载流子,所以其导电能力很强。

载流子迁移率的量纲是()A、m2/(v.s)B、m/sC、v/m

Electrical conductivity()A、电导率B、载流子数C、载流子迁移率

半导体材料导电能力的大小,由半导体内载流子的数目决定。

金属的载流子迁移率大,所以经常用金属作为霍尔元件的材料。

对PN结施加反向电压时,参与导电的是()A、多数载流子B、少数载流子C、既有多数载流子又有少数载流子

双极型三极管有两种载流子导电,即()和()导电,而单极型三极管只有一种载流子导电,即()导电。

半导体中有()和()两种载流子。本征半导体的导电能力取决于(),杂质半导体的导电能力主要取决于()

光敏电阻吸收了光量子能量,使得载流子迁移率增加,导致电导率增加。

随着温度升高,金属中的电子迁移率下降,使其导电能力()A、上升B、不受影响C、下降D、无法判断

电阻率的大小反映了物质的导电能力,电阻率小说明物质导电能力强电阻率大说明物质导电能力弱。

晶体管多数载流子和少数载流子都参与导电,而场效应管只有个别载流子导电。

单选题Electrical conductivity()A电导率B载流子数C载流子迁移率

填空题半导体材料的电阻率与(),以及载流子迁移率有关。

单选题MOSFET的温度特性体现为:()。A温度升高,载流子迁移率升高,跨导升高,阀值电压升高B温度升高,载流子迁移率升高,跨导下降,阀值电压下降C温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压升高D温度升高,载流子迁移率下降,跨导下降,阀值电压下降

单选题场效应管参与导电的载流子是()。A电子B空穴C多数载流子D少数载流子

名词解释题载流子迁移率

单选题载流子迁移率的量纲是()Am2/(v.s)Bm/sCv/m

填空题迁移率反映的是载流子()在单位电场作用下的平均漂移速度。

填空题反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是()。