有关半导体下列说法正确的是()。A.半导体就是一半导电，一半不导电B.是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体C.半导体中有两种载流子，既有自由电子载流子又有空穴载流子D.半导体是制造电子元件的重要的最基本的材料
N型半导体中，电子数目少于空穴数目，其导电能力主要由空穴决定。P型半导体中，电子数目多于空穴数目，其导电能力主要由电子决定。
半导体材料有两种载流子参加导电，具有两种导电类型。一种是（），另一种是（）。
本征半导体中具有自由电子和空穴两种载流子，但数量很少，导电能力差。在半导体中加入微量三价元素，使空穴增多，形成P型半导体；如掺入少量五价元素，使电子增多，形成N型半导体。P型半导体中多数载流子是___，N型半导体中多数载流子是___；多数载流子的运动称为___，少数载流子的运动称为___。A、自由电子，空穴；扩散，飘移B、空穴，自由电子；漂移，扩散C、空穴，自由电子；扩散，漂移D、自由电子，空穴；漂移，扩散E、自由电子，空穴；扩散，扩散
迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度，另一方面取决于迁移率的大小。同样的掺杂浓度，载流子的迁移率越大，材料的电导率就越高。（）
N型半导体中，电子数目多于空穴数目，其导电能力主要由电子决定，所以称为（）型半导体。A、空穴B、电子C、光敏D、热敏。
P型半导体中，自由电子的数目少于空穴的数目，其导电能力主要由空穴决定，所以称为（）型半导体。A、空穴B、电子C、光敏D、热敏。
N型半导体自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子。而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
氧化型气体吸附到N型半导体上，将使载流子数目（），从而使材料的电阻率（）．
若在四价元素半导体中掺入五价元素原子，则可构成（）型半导体，参与导电的多数载流子是（）。
在本征半导体中掺入杂质的目的是（）。A、提高半导体的导电能力B、降低半导体的导电能力C、制造出合乎要求的半导体材料，用来生产半导体器件D、产生PN结
N型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电；P型半导体也称为（）半导体，其多数载流子是（），主要靠（）导电。
在含有三价元素的半导体中，空穴的数目远远超出电子的数目，半导体的导体主要是空穴决定的，导电方向与电场方向相反，这样的半导体叫做p型半导体。
本征半导体中载流子的数目比杂质半导体中载流子的数目（）.
半导体中有（）和（）两种载流子。本征半导体的导电能力取决于（），杂质半导体的导电能力主要取决于（）
本征半导体与金属导电机理的最大区别在于半导体同时存在二种载流子。
若在四价元素半导体中掺入三价 元素原子，则可构成（）型半导体，参与导电的多数载流子是（）。
半导体的空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体
P型半导体空穴数远多于自由电子数，这些空穴是多数载流子，而自由电子是少数载流子，导电能力主要靠空穴，称为空穴型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
半导体的自由电子数远多于空穴数，这些自由电子是多数载流子，而空穴是少数载流子，导电能力主要靠自由电子，称为电子型半导体，简称（）。A、W型半导体B、U型半导体C、P型半导体D、N型半导体
填空题反映半导体中载流子导电能力的一个重要参数是（）。