热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的,这是由杂质 引起的。(两个字)
热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的,这是由杂质 引起的。(两个字)
参考答案和解析
分凝
相关考题:
杂质限量指A、药物纯净程度B、在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质C、药物中所含杂质的最大允许量D、自然界中存在较广泛在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质E、杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
特殊杂质A、药物纯净程度B、在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质C、药物中所含杂质的最大允许量D、自然界中存在较广泛在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质E、杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
药物纯度指A、药物纯净程度B、在个别药物生产和贮存过程中引入的杂质C、药物中所含杂质的最大允许量D、自然界中存在较广泛在多种药物的生产和贮藏过程中容易引入的杂质E、杂质本身一般无害但其含量多少可以反映出药物纯度水平
氧化精炼过程中,杂质除去的难易程度与很多因素有关,主要因素有()。A、杂质在铜中的浓度和杂质元素对氧的亲和力B、杂质氧化后所产生的氧化物在铜中的溶解度C、杂质及其氧化物的挥发性,杂质氧化物的造渣性D、杂质及其氧化物与铜液的比重差
问答题列举IC芯片制造过程中热氧化SiO2的用途?