晶间腐蚀是由晶界的杂质,或晶界区某一合金元素增多或减少而引起的。() 此题为判断题(对,错)。
晶间腐蚀是由晶界的杂质,或晶界区某一合金元素增多或减少而引起的。()
此题为判断题(对,错)。
相关考题:
1、细化晶粒尺寸可以改善材料低温脆性,提高材料的韧性,下列原因中正确的是()? (A)晶界是裂纹扩展的阻力。 (B)晶粒减小则晶界前塞积的位错数减少,有利于降低应力集中。 (C)晶界总面积增加,使晶界上杂质浓度减少,避免产生沿晶脆性断裂。 (D)晶界的强度总是高于晶内的强度。
细化晶粒尺寸可以改善材料低温脆性,提高材料的韧性,下列原因中正确的是()? (A)晶界是裂纹扩展的阻力。 (B)晶粒减小则晶界前塞积的位错数减少,有利于降低应力集中。 (C)晶界总面积增加,使晶界上杂质浓度减少,避免产生沿晶脆性断裂。 (D)晶界的强度总是高于晶内的强度。