硅二极管的死区电压约为()伏。 A、0.1B、0.7C、0.2D、0.5
硅基二极管的正向导通电压一般为0.7V。() 此题为判断题(对，错)。
硅二极管的死区电压一般为0.2V。此题为判断题(对，错)。
硅二极管死区电压为0.5V,导通电压为0.7V。() 此题为判断题(对，错)。
硅材料二极管的死区电压为()V。 A、0.1B、0.3C、0.5D、0.7
一般来说,硅二极管的死去电压小于锗二极管的死区电压。 () 此题为判断题(对，错)。
硅二极管两端正向偏置电压大于多少时，二极管才能导通。A、0VB、0.5VC、0.7V
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。() 此题为判断题(对，错)。
小电流硅二级管的死区电压为0.5V。正向压降为0.7V。
小电流硅二极管的死区电压约为（），正向压约为0.7V。A、0.4VB、0.5VC、0.6VD、0.7V
二极管处于导通状态时，二极管的压降（）。A、为零B、硅管0.7V，锗管0.3VC、等于电路电压D、电压不变
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅二极管的死区电压约为（）。A、0.2B、0.3C、0.5D、0.7
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
硅管的死区电压约为（）V，锗管的死区电压约为（）V。
什么是二极管的死区电压？它是如何产生的？硅管和锗管的死区电压的典型值是多少？
晶体二极管导通时的正向压降：硅管约为（）V，锗管约为（）V。通常硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管两端加上正向电压时（）A、一定导通B、超过死区电压才导通C、超过0.7V才导通D、超过0.3V才导通
硅二极管的死区电压约为（）V，锗二极管的死区电压约为（）V。
二极管具有（）向导电性，两端加上正向电压时有一段“死区电压”，锗管约为（）V；硅管约为（）V。
硅二极管上外加正向电压很低时，正向电流几乎为零。只有在外加电压达到约（）时，正向电流才明显增加，这个电压称为硅二极管的门坎电压。A、0.3VB、0.2VC、0.5VD、0.7V
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？