用万用表R×100挡测量一只晶体管各极间正、反向电阻,如果都呈现很小的阻值,则这只晶体管()。 A、两个PN结都被烧坏B、发射极被击穿C、集电极被击穿D、两个PN结都被击穿
晶体管调节器上的大功率管被击穿后，发电机输出电压将下降。
电力晶体管的缺点是（）。A、功率容量小B、必须具备专门的强迫换流电路C、具有线性放大特性D、易受二次击穿而损坏
电力场效应管MOSFET（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
功率场效应晶体管特点是（）的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自行关断，同时不存在二次击穿，安全工作区宽。
功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
功率晶体管的安全工作区由以下四条曲线限定：集电极-发射级允许最高击穿电压线，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。A、基极最大允许直流功率线B、基极最大允许电压线C、临界饱和线D、二次击穿触发功率线
关于二次击穿，以下说法正确的是（）。A、大功率晶体管GTR不会发生二次击穿B、功率MOSFET不会发生二次击穿C、二次击穿可能使器件永久性损坏D、二次击穿的过程很短暂
在GTR作为开关的电路中，若在转换的过程中出现从高电压小电流到低电压大电流的现象，则说明晶体管（）A、失控B、二次击穿C、不能控制关断D、不能控制开通
电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A、有二次击穿B、无二次击穿C、防止二次击穿D、无静电击穿
电力晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A、一次击穿B、二次击穿C、临界饱和D、反向截止
电力晶体管在使用时，要防止（）。A、二次击穿B、静电击穿C、时间久而失效D、工作在开关状态
用万用表R×100Ω档测量一只晶体管各极之间正、反向电阻，如果都呈现很小的阻值，则这只晶体管（）。A、PN结被击穿B、PN结开路C、只有发射极击穿D、只有集电极击穿
下列器件中，会发生二次击穿现象的有（）A、GTOB、功率晶体管C、功率场效应管D、1GBT
功率场效应晶体管的特点是：（）的静态内阻高，驱动功率小，撤除栅极信号后能自动关断，同时不存在二次击穿，安全工作区范围宽。
单选题电力场效应晶体管（电力MOSFET）（）现象。A有二次击穿B无二次击穿C防止二次击穿D无静电击穿
单选题电力晶体管在使用时，要防止（）。A二次击穿B静电击穿C时间久而失效D工作在开关状态
单选题功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A一次击穿B二次击穿C临界饱和D反向截至
单选题电力晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（）。A一次击穿B二次击穿C临界饱和D反向截止
判断题使用大功率晶体管时，必须要注意“二次击穿”问题。A对B错
单选题功率晶体管的安全工作区由以下4条曲线限定：集电极-发射极允许最高击穿电压，集电极最大允许直流功率线，集电极最大允许电流线和（）。A基极最大允许直流功率线B基极最大允许电压线C临界饱和线D二次击穿功率线