硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为()和()。
NPN型硅晶体管各电极对地电位分别为Uc=9V,UB=0.7V,UE=0V,则该晶体管的工作状态是() A、饱和B、正常放大C、截止
测得晶体管三个电极对地的电压分别为－2V、－8V、－ 2.2V,则该管为()。 A.NPN型锗管B.PNP型锗管C.PNP型硅管D.NPN型硅管
共射极放大电路的电源电压是通过集电极电阻RC加到集—射极之间的,集电极的静态工作电压UCEO等于电源电压。() 此题为判断题(对，错)。
NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（ ）。
在放大电路中，若测得某晶体管三个电极的电位分别为7V，1.2V，1V，则该管为：（）。A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管D.PNP型锗管
正常工作时，NPN型硅管发射结的电压为（）V。A、0.3B、0.6～0.7C、0.2～0.3D、0.9
测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5、3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A、硅PNP型B、硅NPN型C、锗PNP型D、锗NPN型
NPN型晶体管处于放大状态时，各极电压关系是（）。A、UC＞UE＞UBB、UC＞UB＞UEC、UC＜UB＜UED、UC＜UE＜UB
硅NPN型的三极管如果它工作于饱和状态，那么，它一定具有以下特征：（）。A、UBE在0.3V左右B、UBE约为0.7伏C、UCB＞0D、UC＜0E、UCB＜0
NPN型晶体管和PNP型晶体管的电路符号仅在于发射极箭头方向不同，这个箭头是代表发射结在正向连接时的（）方向。A、电量B、电流C、电压D、功率
国产晶体管3DG系列表示（）。A、硅材料NPN型高频小功率三极管B、锗材料PNP型高频大功率三极管C、硅材料NPN型低频小功率三极管D、锗材料PNP型低频大功率三极管
当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为uC（）uB（）uE。
在一个由NPN晶体管组成的基本共射放大电路中，当输入电压为1kHz，100mV的正弦波时，输出电压波形出现了顶部失真，这种失真是（）
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE分别为（）V和（）V。
晶体管的开关作用是（）。A、饱合时集—射极接通，截止时集—射极断开B、饱合时集—射极断开，截止时集—射极接通C、饱合和截止时集—射极均断开
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为VE=-1.7V，VB=-1.4V，VC=5V，则该管类型为（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、NPN型硅管D、PNP型硅管
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为6V、5.3V、0V，则该管为（）A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
测得晶体管三个电极对地的电压分别为-2V、-8V、-2.2V，则该管不是（）A、NPN型锗管B、PNP型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
已知放大电路中某晶体管三个极的电位分别为UE＝6V，UB=5.3V，UC=0V，则该管为（）。A、PNP型锗管B、NPN型锗管C、PNP型硅管D、NPN型硅管
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管
单选题在放大电路中，测得某三极管的E、B、C三个电极对地电位分别为－2V、－2.3V、－7V，则这个管子是（）。A饱和状态的PNP型硅管B放大状态的NPN型硅管C饱和状态的NPN型锗管D放大状态的PNP型锗管
单选题测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、5.3V和-6V，则该三极管的类型为（）。A硅PNP型B硅NPN型C锗PNP型D锗NPN型