PNP型晶体管的电流是从集电极流向发射极。() 此题为判断题(对，错)。
NPN型晶体管工作在放大状态时，其发射极电压与发射极电流的关系为（ ）。
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。ANPN型晶体管；BPNP型晶体管；C硅管；D锗管。
下面是单结晶体管的特点说法正确的是（）。A、当发射极电压等于峰点电压UP时，单结晶体管导通，导通之后，当发射极电压减小到UEV时，管子由导通变为截止B、单结晶体管的发射极与第一基极的电阻RB1随发射极电流增大而变小，RB2则与发射极电流无关C、不同的单结晶体管有不同的UP和UVD、一般单结晶体管的谷点电压在5～10VE、单结晶体管体积小重量轻
三极管发射极符号上的箭头朝外，则表示（）A、NPN型三极管B、PNP型三极管C、PPN型三极管
三极管发射极的箭头方向表示（）流经的方向。A、电压B、电阻C、电流D、电容
TTL电路是晶体管-晶体管逻辑电路，它由NPN或PNP型晶体管组成，CMOS电路是互补型金属氧化物半导体电路，由绝缘栅场效应管组成。
在晶体三极管放大电路中，晶体三极管最高电位的一端应该是（）。A、PNP型的基极B、NPN的基极C、PNP型的发射极D、NPN的发射极
NPN型三极管带箭头的是发射极，箭头的方向应该是（）。A、由外向里B、由发射极到集电极C、由发极射到基极D、由里向外
PNP型三极管的箭头方向表示电流的方向，箭头的方向应该是（）。A、由外向内B、由内向外C、由基极到发射极D、由集电极到发射极
NPN、PNP三极管做放大器时，其发射结（）A、均反向电压B、均正向电压C、仅NPN管反向电压D、仅PNP管反向电压
根据国产半导体器件命名方法可知，3DG6为（）A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
晶体管符号中，箭头朝内者，表示它是（）。A、硅管；B、锗管；C、NPN管；D、PNP管。
“PNP”和“NPN”符号中的箭头方向是发射结正向偏转时的方向。
在放大电路中的晶体管，其电位最高的一个电极是（）。A、PNP管的集电极B、PNP管的发射极C、NPN管的发射极D、NPN管的基极
固体半导体摄像元件CCD是一种（）A、PN结光电二极管电路B、PNP型晶体管集成电路C、MOS型晶体管开关集成电路D、NPN型晶体管集成电路
PNP型或NPN型晶体管，其发射区和集电区均为同类型半导体（N型或P型）。所以在实际使用中发射极与集电极（）。A、可以调换使用B、不可以调换使用C、PNP型可以调换使用，NPN型则不可以调换使用
根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6为（）。A、NPN型低频小功率硅晶体管B、NPN型高频小功率硅晶体管C、PNP型低频小功率锗晶体管D、NPN型低频大功率硅晶体管
对NPN型晶体管，如果在集电极和发射极施加电压，其中集电极为正电压，同时在基极上也施加正电压，那么（）。A、集电极电流导通B、基极电流导通C、发射极电流导通D、电流都不导通
对于NPN型晶体管共发射极电路，当增大发射结偏置电压Ube时，其输入电阻也随之增大。
二极管符号中的箭头方向与（）方向一致.A、外加电压B、载流子运动C、正向电流D、反向电流
晶体管符号上的箭头朝外，则表示为（）。A、NPN型晶体管；B、PNP型晶体管；C、硅管；D、锗管。
关于晶体管反向漏电流，以下说法正确是（）。A、相同功率的锗管反向漏电流大于硅管B、NPN管反向漏电流小于PNP管C、电压越高越大D、NPN管反向漏电流大于PNP管
单选题NPN型三极管带箭头的是发射极，箭头的方向应该是（）。A由外向里B由发射极到集电极C由发极射到基极D由里向外
单选题PNP型三极管的箭头方向表示电流的方向，箭头的方向应该是（）。A由外向内B由内向外C由基极到发射极D由集电极到发射极