增强型绝缘栅场效应管只有加一定的负栅压,才能形成导电沟道而导通。() 此题为判断题(对，错)。
施密特触发器有两个阈值电压,分别称作()。 A.正向阈值电压B.反向阈值电压C.高电压D.低电压
增强型PMOS管的开启电压()。A、大于零B、小于零C、等于零D、或大于零或小于零
EISU通用DI测量通道高电平阈值电压（）A、大于等于2VB、小于等于2VC、大于等于3VD、小于等于3V
MISUPA中，高电平阈值电压是大于（）A、0.5B、1C、2D、5
混合液晶的阈值电压主要取决于液晶的介电各项异性Δε，Δε大，有利于降低液晶的阈值电压。（）
迟滞比较器的回差电压△U是指（）。A、正向阈值电压与负向阈值电压之差B、最大输出正电压与负电压之差C、最大输入电压与最小输入电压之差D、输出电压与输人电压之差
滞回比较器的回差ΔU是指（）。A、正向阈值电压UTH1与负向阈值电压UTH2之差；B、最大输出正电压和负电压之差；C、最大输入电压与最小输入电压之差
EISU通用AI/DI测量通道低电平阈值电压（）A、大于等于0.8VB、小于等于0.8VC、大于等于1VD、小于等于1V
比较器（）电平发生跳变时的（）电压称为阈值电压，过零电压比较器的阈值电压是（）。只有一个阈值电压的比较器称为（）比较器；而具有两个阈值电压的比较器称为（）比较器。
单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角α大于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=（）；当控制角α小于不导电角δ时，晶闸管的导通角θ=（）。
当压敏电阻两端所加电压大于压敏电压时，压敏电阻（），呈低阻状态。A、击穿导通B、中断导通C、击穿旁路D、中断旁路
可控硅当Ugk，Uak为适当正向电压时，管子就（）已经导通的可控硅，只要Ia大于一定数值如果使Ig=0管子（）状态。
问答题什么是MOSFET的阈值电压，它受哪些因素影响？
问答题什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？阈值电压为负时称为什么电压？
单选题软启动器在电动机启动过程中，其电子调压器晶闸管的导通角是如何变化的？（）A启动开始晶闸管导通角最小，当启动电流大于设定值时导通角变为最大，启动结束时导通角为最小B启动开始晶闸管导通角最大，当启动电流大于设定值时导通角变为最小，启动结束时导通角为最大C启动开始晶闸管导通角最大，当启动电流大于设定值时导通角变为最大，启动结束时导通角为最小D启动开始晶闸管导通角最小，当启动电流大于设定值时导通角变为最大，启动结束时导通角为最大
问答题请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值电压和漏源电流的影响。
单选题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时，耗尽区加宽，使得阈值电压（）A增大B减小C不变D先增大后减小
填空题开启电压（阈值电压）的高低与栅下半导体中的（），栅氧化层的（）、（）、（）、（）等有关。载流子浓度越高，开启电压的绝对值（）；栅氧化层厚度越厚，开启电压的绝对值（）。
单选题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）A大于零B等于零C大于0.7VD小于零
填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
单选题当压敏电阻两端所加电压大于压敏电压时，压敏电阻（），呈低阻状态。A击穿导通B中断导通C击穿旁路D中断旁路