施密特触发器有两个阈值电压,分别称作()。 A.正向阈值电压B.反向阈值电压C.高电压D.低电压
当PN结加正向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层()。当PN结加反向电压时,扩散电流()漂移电流,耗尽层() A.大于B.变窄C.等于D.小于E.变宽F.不变
当电源正极接N区，负极接P区时，称为给PN结加反向电压或反向偏置。（）
三极管处于截止状态时，有（）关系存在。A、发射结反向偏置B、发射结正向偏置C、集电极反向偏置D、集电结反向偏置E、基极反向偏置
三极管工作在饱和区时，三极管两个结的偏置是（）A、发射结加正向电压，集电结也加正向电压B、发射结加正向电压，集电结加反向电压C、发射结加反向电压，集电结加反向电压
通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A、空穴移向衬底深处B、空穴移向二氧化硅层C、电子移向二氧化硅层D、电子移向衬底层深处
三极管作电流放大时，在发射结上加正向偏置电压，在集电结上加反向偏置电压。
开关二极管加正向偏置电压时导通，正向电阻很小，加反向偏置电压时截止，反向电阻很大。（）
当加在二极管两端的反向电压增高到超过某一值时，（）急剧增大，此现称为二极管的反向击穿。
晶体管工作在饱和区的条件是（）。A、发射结正向偏置，集电结反向偏置B、发射结反向偏置，集电结正向偏置C、发射结正向偏置，集电结正向偏置D、发射结反向偏置，集电结反向偏置
当PN结加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）A、大于B、变窄C、等于D、小于E、变宽F、不变
结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。
比较器（）电平发生跳变时的（）电压称为阈值电压，过零电压比较器的阈值电压是（）。只有一个阈值电压的比较器称为（）比较器；而具有两个阈值电压的比较器称为（）比较器。
取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A、转折电压B、反向击穿电压C、阈值电压D、额定电压
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层变窄，当PN结外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。A、大于B、小于C、等于D、变宽
当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。
PN结具有单向导电性，当P区接电源的正极，N区接电源的负极，叫做（）。A、正向偏置B、反向偏置C、对中D、非偏置
当稳压管在正常稳压工作时，其两端施加的外部电压的特点为（）A、反向偏置但不击穿B、正向偏置但不击穿C、反向偏置且被击穿D、正向偏置且被击穿
光电二极管加（）电压能产生电流，发光二极管（）电压下工作。A、反向偏置，正向偏置B、正向偏置，反向偏置C、正向偏置，正向偏置D、反向偏置，反向偏置
如工作在截止区时，三极管两个结的偏置是（）A、发射结加正向电压，集电结加反向电压B、发射结加反向电压，集电结加正向电压C、发射结加反向电压，集电结加反向电压
要使得一个三极管具有放大作用，必须具备（）A、发射结为正向偏置B、发射结为反向偏置C、集电结为正向偏置D、集电结为反向偏置
问答题什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？阈值电压为负时称为什么电压？
填空题当对PN结外加正向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）；当对PN结外加反向电压时，中性区与耗尽区边界上的少子浓度比该处的平衡少子浓度（）。
单选题晶体管工作在饱和区的条件是（）。A发射结正向偏置，集电结反向偏置B发射结反向偏置，集电结正向偏置C发射结正向偏置，集电结正向偏置D发射结反向偏置，集电结反向偏置
填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
单选题通常，一个线性排列的CCD元件有P型硅衬底和许多电极组成，在铝电极和硅衬底之间有一层二氧化硅，电极上存在高电位时将形成耗尽区，这是（）的结果。A空穴移向衬底深处B空穴移向二氧化硅层C电子移向二氧化硅层D电子移向衬底层深处
单选题取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的（）。A转折电压B反向击穿电压C阈值电压D额定电压