施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。

施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。

相关考题：

施密特触发器有两个阈值电压,分别称作()。 A.正向阈值电压B.反向阈值电压C.高电压D.低电压
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在图题10-1所示的电路中，已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。②画出该电路的传输特性曲线。③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。
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EISU通用DI测量通道高电平阈值电压（）A、大于等于2VB、小于等于2VC、大于等于3VD、小于等于3V
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MISUPA中，低电平阈值电压是小于（）A、0.5B、0.8C、1D、2
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MISUPA中，高电平阈值电压是大于（）A、0.5B、1C、2D、5
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阈值电压
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混合液晶的阈值电压主要取决于液晶的介电各项异性Δε，Δε大，有利于降低液晶的阈值电压。（）
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用555定时器构成的施密特触发器，若电源电压为VCC，控制端不外接固定电压，则其上限阈值电压为（）。A、1/3VCCB、2/3VCCC、VCCD、1/2VCC
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迟滞比较器的回差电压△U是指（）。A、正向阈值电压与负向阈值电压之差B、最大输出正电压与负电压之差C、最大输入电压与最小输入电压之差D、输出电压与输人电压之差
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滞回比较器的回差ΔU是指（）。A、正向阈值电压UTH1与负向阈值电压UTH2之差；B、最大输出正电压和负电压之差；C、最大输入电压与最小输入电压之差
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EISU通用AI/DI测量通道低电平阈值电压（）A、大于等于0.8VB、小于等于0.8VC、大于等于1VD、小于等于1V
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比较器（）电平发生跳变时的（）电压称为阈值电压，过零电压比较器的阈值电压是（）。只有一个阈值电压的比较器称为（）比较器；而具有两个阈值电压的比较器称为（）比较器。
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TTL与非门阈值电压UT的典型值是（）A、0.4VB、1.4VC、2VD、2.4V
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差压变送器迁移后，所能测量的最大值（包括正向和负向）不能大于（）。
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问答题试述MOS管沟道长度L和宽度W与阈值电压的关系。
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问答题什么是MOSFET的阈值电压，它受哪些因素影响？
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问答题什么叫阈值电压？阈值电压是否可变？阈值电压为负时称为什么电压？
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问答题根据阈值电压不同，常把MOS器件分为几种？
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问答题什么是MOS管的阈值电压？
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多选题地貌等高线的形状化简的基本原则是（）。A以正向形态为主的地貌，扩大负向形态，减少正向形态B协调和其他要素的关系C以负向形态为主的地貌，扩大负向形态，减少正向形态D以正向形态为主的地貌，扩大正向形态，减少负向形态E以负向形态为主的地貌，扩大正向形态，减少负向形态
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名词解释题阈值电压
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判断题改变氧化层厚度可以控制阈值电压。A对B错
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问答题对NMOS晶体管，注入何种杂质使阈值电压增加或降低？
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单选题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压（）A大于零B等于零C大于0.7VD小于零
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填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压，反向偏置电压增大，则MOS器件的阈值电压也随之增大，这种效应称为（）
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问答题阈值电压VT与衬底掺杂浓度是什么关系？采取什么方式或手段以调整VT大小？影响VT的其它因素有哪些？
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单选题用555定时器构成的施密特触发器，若电源电压为VCC，控制端不外接固定电压，则其上限阈值电压为（）。A1/3VCCB2/3VCCCVCCD1/2VCC
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