名词解释题阈值电压

名词解释题
阈值电压

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相关考题:

施密特触发器有两个阈值电压,分别称作()。 A.正向阈值电压B.反向阈值电压C.高电压D.低电压

CMOS门电路,由于其阈值电压约为电源电压的一半,因而()。 A、其噪声容限较TTL电路较小B、其抗干扰能力较TTL电路稍差C、其噪声容限较TTL电路较大

在图题10-1所示的电路中,已知R1=10kΩ, R2=30kΩ,其中CMOS非门电路的电源电压Vcc=6V。①计算该电路的正向阈值电压VT+、负向阈值电压VT-和回差电压△VT。②画出该电路的传输特性曲线。③画出图示波形输入下的输出电压Vo波形。

比较器的阈值电压是指()A、使输出电压翻转的输入电压B、使输出达到最大幅值的基准电压C、输出达到最大幅值电压时D、使输出达到的最大幅值电压时的输入电压

EISU通用DI测量通道高电平阈值电压()A、大于等于2VB、小于等于2VC、大于等于3VD、小于等于3V

MISUPA中,低电平阈值电压是小于()A、0.5B、0.8C、1D、2

阈值电压

混合液晶的阈值电压主要取决于液晶的介电各项异性Δε,Δε大,有利于降低液晶的阈值电压。()

迟滞比较器的回差电压△U是指()。A、正向阈值电压与负向阈值电压之差B、最大输出正电压与负电压之差C、最大输入电压与最小输入电压之差D、输出电压与输人电压之差

滞回比较器的回差ΔU是指()。A、正向阈值电压UTH1与负向阈值电压UTH2之差;B、最大输出正电压和负电压之差;C、最大输入电压与最小输入电压之差

EISU通用AI/DI测量通道低电平阈值电压()A、大于等于0.8VB、小于等于0.8VC、大于等于1VD、小于等于1V

比较器()电平发生跳变时的()电压称为阈值电压,过零电压比较器的阈值电压是()。只有一个阈值电压的比较器称为()比较器;而具有两个阈值电压的比较器称为()比较器。

施密特触发器的正向阈值电压一定大于负向阈值电压。

TTL与非门阈值电压UT的典型值是()A、0.4VB、1.4VC、2VD、2.4V

如果一个滞回比较器的两个阈值电压和一个窗口比较器的相同,那么当它们的输入电压相同时,它们的输出电压波形也相同。

问答题什么是MOSFET的阈值电压,它受哪些因素影响?

问答题什么叫阈值电压?阈值电压是否可变?阈值电压为负时称为什么电压?

问答题根据阈值电压不同,常把MOS器件分为几种?

问答题什么是MOS管的阈值电压?

单选题当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时,耗尽区加宽,使得阈值电压()A增大B减小C不变D先增大后减小

填空题在电子工业中,离子注入成为了微电子工艺中的一种重要的(),也是控制MOSFET阈值电压的一个重要手段。

判断题用来制造MOS器件最常用的是(100)面的硅片,这是因为(100)面的表面状态更有利于控制MOS器件开态和关态所要求的阈值电压。A对B错

判断题改变氧化层厚度可以控制阈值电压。A对B错

问答题对NMOS晶体管,注入何种杂质使阈值电压增加或降低?

单选题耗尽型NMOS晶体管的阈值电压()A大于零B等于零C大于0.7VD小于零

填空题衬底偏置电压会影响MOS器件的阈值电压,反向偏置电压增大,则MOS器件的阈值电压也随之增大,这种效应称为()

多选题对于CMOS晶体管,要得到良好受控的阈值电压,需要控制()等工艺参数。A氧化层厚度;B沟道中掺杂浓度;C金属半导体功函数;D氧化层电荷。