金属基底冠桥的预氧化应在除气基础上再加热至预定终点温度，在非真空状态下继续维持A．0.5～1.0minB．1～3minC．5～10minD．20～30minE．30min以上
金属基底冠桥的预氧化应在除气基础上再加热至预定终点温度，在非真空状态下继续维持
A．0.5～1.0min
B．1～3min
C．5～10min
D．20～30min
E．30min以上
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金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形D、禁止使用橡皮轮磨光E、用50～100μm的氧化铝喷砂PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A．非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B．贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C．巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D．非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同E．理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是（）。A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
下列有关烤瓷金属内冠除气的说法，正确的是（）A、除气即是用在炉内加热的方法排除合金中残留的气体，并形成氧化膜B、贵金属需在半真空下加热10～15分钟即可C、非贵金属需在半真空下加热5分钟即可D、理想的氧层厚度是0.2～2μmE、氧化层厚度与金属-烤瓷结合强度成正变关系
单选题金属烤瓷冠桥修复中，除气、预氧化的目的是（ ）。A增强金-瓷的结合强度B增强基底冠的强度C增加基底冠的厚度D利于遮色瓷的涂塑E增强瓷冠的光泽度