单选题金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持（）A1～2分钟B3～5分钟C5～10分钟D10～12分钟E12～15分钟
单选题
金瓷基底冠桥进行氧化，是在除气的基础上再加热。至预定终点温度时在非真空状态下应继续维持（）
A
1～2分钟
B
3～5分钟
C
5～10分钟
D
10～12分钟
E
12～15分钟
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解析：
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某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金-瓷结合面的包埋料后，以下哪一操作步骤是错误的A、用碳化硅磨除非贵金属基底金-瓷结合面的氧化物B、用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物C、一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D、使用橡皮轮磨光金属表面E、防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠的打磨处理中错误的是A、用钨钢针磨除贵金属表面的氧化物B、用碳化硅砂针磨除非贵金属表面的氧化物C、打磨时用细砂针多方均匀地打磨出金瓷结合．部要求的外形D、禁止使用橡皮轮磨光E、用50～100μm的氧化铝喷砂PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0．2～2μm
PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是A．非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B．贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C．巴非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D．非贵金属预氧化烧结的温度与OP层烧结的温度相同E．理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
金瓷结合界面处理恰当与否关系到金瓷结合强度，因此严格进行正确的处理才能保证PFM冠的质量PFM基底冠在预氧化处理中不正确的是（）。A、非贵金属在烤瓷炉内真空状态下加热形成氧化膜B、贵金属在炉内半真空状态下加热形成氧化膜C、非贵金属在炉内非真空状态下加热形成氧化膜D、非贵金属预氧化烧结的温度与0P层烧结的温度相同E、理想的氧化膜厚度为0.2～2μm
单选题某技术员在进行金瓷修复体基底冠表面处理时，用铝砂喷砂去除金一瓷结合面的包埋料后，以下哪一操作步骤是不正确的？（ ）A用碳化硅磨除非贵金属基底金一瓷结合面的氧化物B用钨刚钻磨除贵金属表面的氧化物C一个方向均匀打磨金属表面不合要求的外形D使用橡皮轮磨光金属表面E防止在除气及预氧化后用手接触金属表面
单选题金属烤瓷冠桥修复中，除气、预氧化的目的是（ ）。A增强金-瓷的结合强度B增强基底冠的强度C增加基底冠的厚度D利于遮色瓷的涂塑E增强瓷冠的光泽度